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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利半导体液晶材料、制备方法、光电元件及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117467454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311419401.6，技术领域涉及：C09K19/58；该发明授权半导体液晶材料、制备方法、光电元件及应用是由黄敏;王佩玺设计研发完成，并于2023-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体液晶材料、制备方法、光电元件及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体液晶材料、制备方法、光电元件及应用，其中液晶材料，其为以纳米磁微粒增强钙钛矿液晶而得到，其中钙钛矿液晶选自A22PbX44或A22PbaaMbbX44或A22PbBrccI4‑c4‑c，其中有机物A选自PEA、BA，X选自Cl、Br，M选自Mn、I，a、b均大于0且a+b＝1，c≤4。本发明通过优化半导体液晶材料的结构和组成，从而有效改善其瞬时响应性较好且能够非接触式操作，同时还可以实现半导体液晶能够带隙可调。

本发明授权半导体液晶材料、制备方法、光电元件及应用在权利要求书中公布了：1.具有磁响应性质且带隙可调控的半导体液晶材料的制备方法，包括如下步骤： A、准备钙钛矿晶体前体，所述钙钛矿晶体前体的准备为：准备至少包括卤化铅及有机物A的反应体系，经热反应后，冷却分离； B、准备纳米磁微粒增强的钙钛矿晶体，所述钙钛矿晶体的制备包括：准备以钙钛矿晶体前体配置钙钛矿前驱体溶液；准备用于钙钛矿晶体前体微晶化的反溶剂，所述反溶剂为氯苯、油酸、油胺按照1000：1：1的体积比配置的混合溶液A；准备包括纳米磁微粒的胶体溶液；在2500rpm高速搅拌条件下缓慢向10mL反溶剂中添加所述胶体溶液后，再加入含有0.3mmol钙钛矿晶体的300mLDMF钙钛矿前驱体溶液，持续搅拌；离心、分离、分散即可， 或准备纳米磁微粒增强的过渡金属元素掺杂的掺杂钙钛矿晶体，所述掺杂钙钛矿晶体的制备包括：准备以钙钛矿晶体前体和过渡金属试剂配置钙钛矿前驱体溶液；准备用于钙钛矿晶体前体微晶化的反溶剂，所述反溶剂为氯苯、油酸、油胺按照1000：1：1的体积比配置的混合溶液A；准备包括纳米磁微粒的胶体溶液；在2500rpm高速搅拌条件下缓慢向10mL反溶剂中添加所述胶体溶液后，再加入含有0.3mmol钙钛矿晶体的300mLDMF钙钛矿前驱体溶液，持续搅拌；离心、分离、分散即可； 其中钙钛矿晶体选自A2PbX4或A2PbaMbX4或A2PbBrcI4-c，其中有机物A选自PEA、BA，X选自Cl、Br，M选自Mn、I，a、b均大于0且a+b=1，c≤4。

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