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龙图腾网获悉化合积电(厦门)半导体科技有限公司申请的专利一种生长凸面金刚石的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448792B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311416579.5，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权一种生长凸面金刚石的生长方法是由曹光宇;张星设计研发完成，并于2023-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种生长凸面金刚石的生长方法在说明书摘要公布了：本发明属于材料科学技术领域，尤其涉及一种生长凸面金刚石的钼台与生长方法，一方面，一种生长凸面金刚石的钼台，包括：碗状壳体；至少四层圆环；以及凹槽，所述凹槽设置在碗状壳体内侧的底部。另一方面，一种生长凸面金刚石的生长方法，包括：将衬底材料放入所述的钼台的凹槽中；将放入所述衬底材料的钼台放入微波等离子体化学气相沉积设备中，利用微波等离子体化学气相沉积设备对所述衬底材料进行处理，得到曲面金刚石。相比直接降低功率来减小等离子体面积，采用斜向凸起的钼环组来控制实际等离子体的面积尺寸，能够保证边缘的低速生长，而直接降低功率可能导致边缘位置无法覆盖到等离子体进而无法有效生长。

本发明授权一种生长凸面金刚石的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种生长凸面金刚石的生长方法，其特征在于，利用钼台进行凸面金刚石的生长，所述钼台包括： 碗状壳体； 至少四层圆环，在所述碗状壳体内侧从上到下依次垂直设置有至少四层圆环，垂直设置后每层圆环均具有顶部开口和底部开口，所述顶部开口的直径大于所述底部开口的直径且上一层圆环底部开口的直径大于下一层圆环顶部开口的直径，每层圆环的顶部开口的圆心均位于第一竖线上，每层圆环的底部开口的圆心也均位于所述第一竖线上；以及 凹槽，所述凹槽设置在碗状壳体内侧的底部； 所述生长凸面金刚石的生长方法包括： 将衬底材料放入所述的钼台的凹槽中； 将放入所述衬底材料的钼台放入微波等离子体化学气相沉积设备基板台正中间，利用微波等离子体化学气相沉积设备在所述衬底材料表面进行金刚石沉积，得到曲面金刚石； 将放入所述衬底材料的钼台放入微波等离子体化学气相沉积设备基板台正中间，利用微波等离子体化学气相沉积设备在所述衬底材料表面进行金刚石沉积，得到曲面金刚石，包括： 在所述微波等离子体化学气相沉积设备中通入氢气与甲烷作为工艺气体，氢气与甲烷比例为100:8，点火激发等离子体后将功率升至5900W，气压160torr，保持衬底材料的温度为820℃-950℃，此时等离子体边缘于第一层钼环处辉光放电，采集等离子体不同位置的发射光谱，监测离子体中C2基团的变化，此时中心C2基团强度为85000，最外缘C2基团强度为82000；当生长25h后降低微波功率至5500W，升高气压至170torr，保持衬底材料的温度为820℃-950℃，此时等离子体边缘于第二层钼环处辉光放电，检测C2基团变化，中心C2基团强度为84000，最外缘C2基团强度为78000；再次生长25h后降低微波功率至5000W，升高气压至180torr，保持衬底材料的温度为820℃-950℃，此时等离子体边缘于第三层钼环处辉光放电，检测C2基团变化，中心C2基团强度为82000，最外缘C2基团强度为70000；再次生长25h后降低微波功率至4600W，升高气压至190torr，保持衬底材料的温度为820℃-950℃，此时等离子体边缘于第四层钼环处辉光放电，检测C2基团变化，中心C2基团强度为80000，最外缘C2基团强度为65000，在生长25h后降温取出金刚石样品，采用强酸腐蚀掉衬底材料后获得所述曲面金刚石。

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