思特威(上海)电子科技股份有限公司深作克彦获国家专利权
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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117316989B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210731089.3，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器及制备方法是由深作克彦;生驹贵英设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器及制备方法，图像传感器包括像素场效应晶体管及外围逻辑场效应晶体管，像素场效应晶体管包括电荷传输栅极及漂浮扩散有源区，电荷传输栅极中靠近漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域与外围逻辑场效应晶体管的栅极边缘区域具有不同结构，使得电荷传输栅极中靠近漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域的电场强度低于电荷传输栅极的栅极中心区域的电场强度，以改善像素场效应晶体管的GIDL现象，提高CIS的图像质量。
本发明授权改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括像素场效应晶体管及外围逻辑场效应晶体管，所述像素场效应晶体管包括电荷传输栅极及漂浮扩散有源区，所述电荷传输栅极靠近所述漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域与所述外围逻辑场效应晶体管对应的栅极边缘区域具有不同结构，所述不同结构包括使靠近所述漂浮扩散有源区一端的栅极介质层的边缘厚度大于所述栅极介质层的中心区域的厚度、降低靠近所述漂浮扩散有源区一端的所述栅极介质层边缘区域的介电常数、在所述电荷传输栅极的栅极结构表面覆盖正电荷薄膜、在临近所述漂浮扩散有源区一端的栅极多晶硅层边缘进行不同导电类型的掺杂、加大所述漂浮扩散有源区中浅掺杂漏区的深度，以及减小所述漂浮扩散有源区中浅掺杂漏区的掺杂浓度中的一种或组合，所述电荷传输栅极靠近所述漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域的电场强度低于所述电荷传输栅极中心区域的电场强度。
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