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龙图腾网获悉湖南麓星光电科技有限公司申请的专利一种靶材支架获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117187762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311255954.2，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种靶材支架是由刘永利;姜海;范鹏;刘俞含设计研发完成，并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种靶材支架在说明书摘要公布了：本发明提供一种靶材支架，涉及镀膜设备技术领域。通过转动与转向轴片相连接的转向件，转向轴片带动转向支架将目标靶材底架上的靶材对准离子源，离子源轰击位于该目标靶材底座上的靶材过程中，升降组件在该目标靶材底架所在的靶材底架上进行升降距离小于1cm的升降，带动该目标靶材底架进行升降距离小于1cm的升降，使离子束在离子源和位于该目标靶材底架上的靶材以及该靶材正上方的工件盘之间的光束路径始终保持在90度。避免因高能离子束中部的离子密度大，外周的离子密度小，在动能轰击下，靶材经过连续溅射后，靶材表面不再是平整的结构而形成环状的凹陷的情况，从而避免造成溅射过程中靶材原子不均匀沉积的现象，使工件与基材表面镀膜实现均匀。

本发明授权一种靶材支架在权利要求书中公布了：1.一种靶材支架，其特征在于，包括： 转向轴片，与转向件相连接，并且在镀膜腔室内旋转； 转向支架，分别设置在所述转向轴片的表面，并且与所述转向轴片相连接； 靶材底架，分别与远离所述转向轴片侧的所述转向支架的端部相连接； 升降组件，分别与所述靶材底架相连接，并且在所述靶材底架上升降； 靶材底座，与远离所述靶材底架侧的所述升降组件的端部相接触； 第一凹陷组件，分别设置在位于所述升降组件处的所述靶材底座上； 第一凸起组件，分别设置在远离所述靶材底架侧的所述升降组件的端部处，并且与所述第一凹陷组件相接触； 其中，所述升降组件在所述靶材底架上的升降距离小于1cm； 所述升降组件包括： 第一柱件，与所述第一凸起组件相连接； 第二柱件，与远离所述靶材底架侧的所述第一柱件的端部相接触； 第一空间，位于靠近所述第二柱件侧的所述第一柱件的端部内侧； 第一步进电机，设置在靠近所述第一柱件侧的所述第二柱件的端部，并且位于所述第一空间内； 丝杠，一端与所述第一步进电机的输出轴相连接，另一端与所述第一柱件相连接，所述丝杠随所述第一步进电机的运行在所述第一空间带动所述第一柱件升降； 所述第一凹陷组件包括： 凹槽，分别设置在靠近所述第一柱件处的所述靶材底座上； 第一连接环，设置在所述凹槽边缘的外周； 第一连接孔，均与设置在所述第一连接环上； 所述第一凸起组件包括： 连接球，位于靠近所述凹槽侧的所述第一柱件的端部，并且与所述凹槽相接触； 第二连接环，设置在所述连接球的外周部，并且与靠近所述连接球侧的所述第一柱件的端部相连接； 第二连接孔，均匀设置在所述第二连接环上，并且通过连接件与所述第一连接孔相连接； 其中，靠近所述连接球侧的所述第二连接环的环面的直径小于所述连接球的直径； 当所述第一柱件和所述第二柱件升降时，所述连接球同时在所述第二连接环的内部和所述第一柱件的端部内转动； 所述靶材底架的长边缘长度与工件盘的半径相同； 镀膜过程中靶材所在的所述靶材底架的短边缘与所述工件之间的夹角为45°； 当所述靶材底架通过所述转向支架随转向轴片摆动时，所述连接球同时在所述第二连接环的内部和所述第一柱件的端部内转动。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南麓星光电科技有限公司，其通讯地址为：410004 湖南省长沙市天心区新岭路62号湖南生态医博园(天心软件产业园)A区A-1栋101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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