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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种用于瞬态极端应力的SiC MOSFET结温监测系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117074898B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311043466.5，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种用于瞬态极端应力的SiC MOSFET结温监测系统及方法是由李轩;吴一帆;赵汉青;许士康;邓小川;张波设计研发完成，并于2023-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于瞬态极端应力的SiC MOSFET结温监测系统及方法在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种用于瞬态极端应力的SiCMOSFET结温监测系统及方法。基于器件关断过程中热敏参数关断延时tdoffdoff，本发明提出了一种适用于瞬态极端应力雪崩应力、短路应力、浪涌应力下结温监测系统与方法，该方法适用于实际功率转换系统中器件在承受瞬态极端应力时的结温监测，实现器件瞬态极端应力过程中的结温在线监测与预警，为功率转换系统安全可靠工作提供保证。

本发明授权一种用于瞬态极端应力的SiC MOSFET结温监测系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于瞬态极端应力的SiCMOSFET结温监测系统，其特征在于，包括栅驱动单元、感性负载单元、电压采样单元、负载电流采样单元、关断延迟时间测量单元和瞬态结温计算单元； 所述栅驱动单元与SiCMOSFET的栅极连接，用于生成控制信号控制SiCMOSFET器件的开通与关断，具体为：栅驱动单元包括第一栅驱动单元、第二栅驱动单元和第三栅驱动单元，其中第一栅驱动单元用于在瞬态极端应力模式下控制SiCMOSFET器件开通与关断，第二栅驱动单元和第三栅驱动单元用于在稳态开关模式下制SiCMOSFET器件开通与关断； 所述电压采样单元用于采样SiCMOSFET的漏源电压与栅源电压，具体为，电压采样单元包括第一电压采样单元和第二电压采样单元，其中第一电压采样单元与SiCMOSFET器件的栅极与源极相连，第二电压采样单元与SiCMOSFET器件的漏极与源极相连，第一电压采样单元与第二电压采样单元分别对SiCMOSFET的栅源电压和漏源电压进行采样，并对采样数据进行存储； 所述负载电流采样单元连接在SiCMOSFET的漏极和感性负载单元之间，负载电流采样单元用于对SiCMOSFET的漏源电流进行采样，并对采样数据进行存储； 所述关断延迟时间测量单元连接在负载电流采样单元与感性负载单元的连接点，关断延迟时间测量单元包含预测量单元与关断测量单元，其中预测量单元与关断测量单元存在运行顺序，预测量单元首先进行SiCMOSFET器件稳态开关模式下关断延时与结温的关系函数拟合，然后关断测量单元在待测SiCMOSFET器件进入瞬态极端应力后进行关断延时的测量，预测量单元在SiCMOSFET器件未进入瞬态极端应力时进行关断延时与结温的关系函数拟合为不同母线电压与不同负载电流下关断延时关于SiCMOSFET结温的一次线性函数： ， 其中，tdoff为关断延时，α1、β1、γ1、λ1、α2、β2、γ2、λ2为拟合常数，由不同结温下测量关断延时得到，Vds为漏源电压，由第二电压采样单元得到，Ids为负载电流，由负载电流采样单元得到，Tj是器件结温； 所述瞬态结温计算单元的输入与关断延迟时间测量单元的输出连接，瞬态结温计算单元的计算目标为关断延迟时间测量单元得到的瞬态极端应力后器件关断延时，采用多项式拟合反推极端应力结束时刻的关断延时，根据一次线性函数得到器件结温Tj。

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