意法半导体股份有限公司T·戈塔尔迪获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利制造半导体设备的方法和对应的半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117059497B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310529221.7，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权制造半导体设备的方法和对应的半导体设备是由T·戈塔尔迪;N·莫达雷利;G·卡塔拉诺设计研发完成，并于2023-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体设备的方法和对应的半导体设备在说明书摘要公布了：本公开涉及制造半导体设备的方法和对应的半导体设备。半导体裸片附接在平面基板的裸片附接部分上。平面导电夹子安装到半导体裸片上。半导体裸片夹在裸片附接部分与导电夹子之间。导电夹子的远离半导体裸片延伸的远端部分通过间隙与平面基板的导电引线间隔开。该间隙由经由激光诱导前向转移LIFT处理转移到导电引线的上表面的间隙填充材料质量体填充。间隙填充材料质量体的大小和尺寸被设置成大体上填充间隙。
本发明授权制造半导体设备的方法和对应的半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体设备的方法，包括： 将半导体集成电路裸片附接到基板的裸片附接部分的上表面，所述基板还包括导电引线，所述导电引线具有与所述裸片附接部分的所述上表面共面的上表面； 在将所述半导体集成电路裸片附接到所述基板之前，通过使用激光诱导前向转移LIFT处理将导电材料质量体转移到所述导电引线的所述上表面上，以形成间隙填充间隔物；以及 使用焊膏材料将扁平的导电夹子的底表面安装到被附接到所述基板的所述裸片附接部分的所述半导体集成电路裸片上并且安装到所述间隙填充间隔物上； 其中所述半导体集成电路裸片夹在所述基板的所述裸片附接部分与所述导电夹子之间； 其中所述扁平的导电夹子具有远离所述半导体集成电路裸片延伸的远端部分； 其中所述间隙填充间隔物夹在所述导电引线与所述扁平的导电夹子的所述远端部分之间；以及 其中所述导电材料质量体包括由铜或银制成的质量体。
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