北京晶格领域半导体有限公司张泽盛获国家专利权
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龙图腾网获悉北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种P型碳化硅晶片及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116811043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310819157.6，技术领域涉及：H10P54/40；该发明授权一种P型碳化硅晶片及其加工方法是由张泽盛;杨蕾;龚春生设计研发完成，并于2023-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种P型碳化硅晶片及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种P型碳化硅晶片的加工方法，加工方法包括如下步骤：1对P型碳化硅单晶进行切割，得到多个晶片；2将每个晶片分别进行研磨和抛光，得到所述P型碳化硅晶片；其中，所述抛光包括第一阶段抛光和第二阶段抛光，所述第一阶段抛光所用的抛光液为包含氧化铝的抛光液，所述第二阶段抛光所用的抛光液为包含氧化硅的抛光液。采用该加工方法对P型碳化硅晶片进行加工，不易出现加工缺陷，且能够得到表面粗糙度较小的P型碳化硅晶片。
本发明授权一种P型碳化硅晶片及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种P型碳化硅晶片的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括如下步骤： 1对P型碳化硅单晶进行切割，得到多个晶片； 2将每个晶片分别进行研磨和抛光，得到所述P型碳化硅晶片；其中，所述抛光包括第一阶段抛光和第二阶段抛光，所述第一阶段抛光所用的抛光液为包含氧化铝的抛光液，所述第二阶段抛光所用的抛光液为包含氧化硅的抛光液；所述第一阶段抛光所用的抛光液包括氧化铝磨粒、氧化剂和酸碱调节剂；所述第二阶段抛光所用的抛光液包括氧化硅磨粒、氧化剂和酸碱调节剂；所述氧化剂为高锰酸钾、次氯酸钠或双氧水中的至少一种；所述氧化铝磨粒的粒径为50~80nm，所述氧化硅磨粒的粒径为20~40nm；以质量百分数计，所述第一阶段抛光所用的抛光液中，氧化铝磨粒的用量为1~5%、氧化剂的用量为0.5~5%、酸碱调节剂的用量为0.3~1%；所述第二阶段抛光所用的抛光液中，氧化硅磨粒的用量为5~10%、氧化剂的用量为1~6%、酸碱调节剂的用量为0.3~1%；第一阶段和第二阶段抛光时采用的抛光液的pH值均为6~8。
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