上海艾深斯科技有限公司郑学刚获国家专利权
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龙图腾网获悉上海艾深斯科技有限公司申请的专利组合的ARC和Si基硬掩模薄膜的组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116500863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210054461.1，技术领域涉及：G03F7/075；该发明授权组合的ARC和Si基硬掩模薄膜的组合物是由郑学刚设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本组合的ARC和Si基硬掩模薄膜的组合物在说明书摘要公布了：新的组合物包含抗反射涂层ARC和硬掩模HM的组合物的硅氧烷共聚物，硅氧烷共聚物由以下单体的共水解形成：RO44Si、R11SiCl33、R22SiCl33、R33SiCl33和R44SiCl33其中：R是烷基例如甲基或乙基基团，R11是发色团例如苯基、苯基甲基、苯基乙基和苯基丙基，R22是H，R33是甲基或任选取代的C22‑C55烷基基团，并且任选的R44是亲水基团例如2‑[甲氧基聚亚乙基氧基6‑96‑9丙基]或2‑甲酯基乙基，其中起始单体混合物中每种单体的摩尔％浓度0.00A、B、C、D0.95,0.00≤E0.50和A+B+C+D+E的总摩尔数＝1。
本发明授权组合的ARC和Si基硬掩模薄膜的组合物在权利要求书中公布了：1.用于ARCHM的耐蚀刻抗反射组合物，包含： 硅氧烷共聚物，其具有以下结构： [R1SiOH2O0.5]f[R1SiO1.5]g[R1SiOHO]h[R2SiOH2O0.5]m[R2SiO1.5]n[R2SiOHO]p[SiOH3O0.5]r[SiOH2O]s[SiOHO1.5]t[SiO2]q[R3SiOH2O0.5]v[R3SiO1.5]w[R3SiOHO]d[R4SiOH2O0.5]x[R4SiO1.5]y[R4SiOHO]z 其中0f,g,h,m,n,p,r,s,t,q,v,w,d0.9、0.00≤x、y、z0.50且f+g+h+m+n+p+r+s+t+q+v+w+d+x+y+z=1， R1在每次出现时，独立地表示苯基、苯基甲基、苯基乙基或苯基丙基， R2是H， R3在每次出现时，独立地表示甲基或任选取代的C2-C5烷基基团， R4在每次出现时，独立地表示2-[甲氧基聚亚乙基氧基6-9丙基]或2-甲酯基乙基。
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