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龙图腾网获悉五邑大学申请的专利MEMS器件的封装方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116477567B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310607160.1，技术领域涉及：B81C3/00；该发明授权MEMS器件的封装方法及其结构是由刘湛;苏俊辉;张乾丰;李星星;邱天;陆许明;邹鹏;张昕设计研发完成，并于2023-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS器件的封装方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明涉及微机电系统封装技术领域，特别涉及一种MEMS器件的封装方法及其结构。其中MEMS器件的封装方法包括：通过刻蚀工艺制作基体晶圆、玻璃封盖晶圆和键合环晶圆；基于第一键合方式，根据第二对准标识和第三对准标识将玻璃封盖晶圆和键合环晶圆进行键合，形成盖帽晶圆；在盖帽晶圆的键合环台阶的表面制作金属中间层；基于第二键合方式，根据第一对准标识和第二对准标识通过金属中间层将盖帽晶圆和基体晶圆进行键合，形成具有真空密闭腔室的封装晶圆；分别沿第一划片槽和第二划片槽对封装晶圆进行晶圆划片，得到MEMS芯片单元。根据本发明的技术方案，既能够实现高气密性、高可靠性和低成本的封装效果，又能够提高MEMS器件的封装效率和封装良率。

本发明授权MEMS器件的封装方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件的封装方法，其特征在于，包括： 获取基体晶圆，所述基体晶圆设置有MEMS器件、晶圆键合区、第一对准标识和第一划片槽； 以玻璃晶圆为原材料，对所述玻璃晶圆进行预处理，基于所述MEMS器件和所述晶圆键合区，通过刻蚀工艺制作第二划片槽，以及通过刻蚀工艺制作第二对准标识，形成玻璃封盖晶圆； 以硅晶圆为原材料，对所述硅晶圆进行预处理，基于所述晶圆键合区，通过刻蚀工艺在目标位置制作凹槽和通孔并形成键合环台阶，以及通过刻蚀工艺制作第三对准标识，形成键合环晶圆； 基于第一键合方式，根据所述第二对准标识和所述第三对准标识将所述玻璃封盖晶圆和所述键合环晶圆进行键合，形成盖帽晶圆； 利用金属薄膜沉积工艺在所述盖帽晶圆的所述键合环台阶的表面制作金属中间层； 在基于第一键合方式形成所述盖帽晶圆后，再基于第二键合方式，根据所述第一对准标识和所述第二对准标识通过所述金属中间层将所述盖帽晶圆和所述基体晶圆进行键合，形成具有真空密闭腔室的封装晶圆，所述第一键合方式的工艺温度高于所述第二键合方式的工艺温度； 分别沿所述第一划片槽和所述第二划片槽对所述封装晶圆进行晶圆划片，得到MEMS芯片单元。

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