福建省晋华集成电路有限公司张钦福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器装置以及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116437660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310192984.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器装置以及其制造方法是由张钦福;冯立伟;童宇诚设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置以及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器装置以及其制造方法。存储器装置包括半导体衬底、多条位线结构、多个隔离结构、存储节点接触结构与多个第一空隙。位线结构、隔离结构与存储节点接触结构设置在半导体衬底上。各位线结构沿第一方向延伸，且多条位线结构沿第二方向排列设置。多个隔离结构位于相邻的多条位线结构之间，存储节点接触结构位于多条位线结构中相邻的两条之间，且存储节点接触结构在第一方向上位于多个隔离结构中相邻的两个之间。存储节点接触结构包括四个角落部分，多个第一空隙设置在存储节点接触结构中，且多个第一空隙分别位于四个角落部分中的至少两个中。如此，可改善存储器装置的操作表现和或提高制造方法的生产能力。
本发明授权存储器装置以及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其特征在于，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底中包括由多个沟槽隔离结构隔离界定的有源区； 多条位线结构，设置在该半导体衬底上，其中各该位线结构沿第一方向延伸，且该多条位线结构沿第二方向排列设置； 多个隔离结构，设置在该半导体衬底上，其中该多个隔离结构位于相邻的该多条位线结构之间； 存储节点接触结构，设置在该半导体衬底上且位于该多条位线结构中相邻的两条之间，且该存储节点接触结构在该第一方向上位于该多个隔离结构中相邻的两个之间，其中该存储节点接触结构包括四个角落部分；以及 多个第一空隙，设置在该存储节点接触结构中，其中该多个第一空隙分别位于该四个角落部分中的至少两个中。
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