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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种提亮倒装LED芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314484B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310190781.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种提亮倒装LED芯片的制备方法是由黄章挺;郑高林;张帆设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提亮倒装LED芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种提亮倒装LED芯片的制备方法，包括如下步骤：S3：使Wafer1的中部生长出中部二氧化硅层；S4：使周缘二氧化硅层朝向Wafer1中部延伸的侧部覆盖在P型氮化镓层上，并且该侧部的边沿距离P型氮化镓层的边沿7‑9微米；通过光刻工艺在中部二氧化硅层上均匀刻蚀多个通孔。本发明的有益效果在于：所述中部二氧化硅层辅助ITO层扩散了流过量子阱层的电流，提高了发光量。部分的银镜反射层绕过ITO层直接接触P型氮化镓进一步的扩散了流过量子阱层的电流。所述中部二氧化硅层因为设有通孔，使其能与银镜反射层形成高低折射率的折射层，使光线全反射，增加了LED芯片的发光量。

本发明授权一种提亮倒装LED芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提亮倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：将衬底置入反应腔，在衬底上依次生长N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层；刻蚀量子阱层和P型氮化镓层的边沿，使N型氮化镓层的表面裸露出； S2：通过溅射工艺以及光刻工艺，使P型氮化镓层上生长出ITO层，并使所述ITO层的边沿距离P型氮化镓层的边沿12-16微米； S3：通过以上步骤得到的结构为Wafer1；在Wafer1上沉积二氧化硅，使Wafer1的周缘生长出周缘二氧化硅层，使Wafer1的中部生长出中部二氧化硅层； S4：通过光刻工艺刻蚀周缘二氧化硅层，使周缘二氧化硅层朝向Wafer1中部延伸的侧部覆盖在P型氮化镓层上，并且该侧部的边沿距离P型氮化镓层的边沿7-9微米； 通过光刻工艺刻蚀中部二氧化硅层，使中部二氧化硅层覆盖在P型氮化镓层和ITO层上，并且中部二氧化硅层的边沿距离P型氮化镓的边沿11-13微米； 通过光刻工艺在中部二氧化硅层上均匀刻蚀多个通孔； S5：通过以上步骤得到的结构为Wafer2，在Wafer2上溅射银镜反射层，并通过光刻工艺将周缘二氧化硅层上的银镜反射层刻蚀去除； S6：完成倒装LED芯片的制备。

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