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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116298721B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310147324.7，技术领域涉及：G01R31/12；该发明授权一种高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统及方法是由王来利;王海骅;闫飞飞;马定坤;袁天舒;张哲维;马良俊;聂延设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统及方法，包括宽带光源、光纤隔离器、光纤环形器、单模3×3光纤耦合器、延迟光纤、第一单模1×2光纤耦合器、光纤传感器、第二单模1×2光纤耦合器、光功率计、第一单模光纤、第二单模光纤、第三单模光纤、第四单模光纤、第五单模光纤、第六单模光纤、光纤转接器、光纤转接器、平衡光电探测器、模拟低通滤波器、数据采集卡和上位机。本发明可以针对不同频段的局部放电信号调节光纤传感器本身的尺寸，以获得符合需求的检测信噪比；同时本发明不会受到电磁干扰的影响，可以应用在高压领域。

本发明授权一种高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种高压碳化硅功率模块内部局部放电检测方法，基于高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统，其特征在于，所述基于高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统包括宽带光源1、光纤隔离器2、光纤环形器3、单模3×3光纤耦合器4、延迟光纤5、第一单模1×2光纤耦合器6、光纤传感器7、第二单模1×2光纤耦合器8、光功率计9、第一单模光纤10、第二单模光纤11、第三单模光纤12、第四单模光纤13、第五单模光纤14、第六单模光纤15、光纤转接器16、光纤转接器17、平衡光电探测器18、模拟低通滤波器19、数据采集卡20和上位机21； 所述宽带光源1与所述光纤隔离器2通过单模光纤直接连接；所述光纤隔离器2与所述光纤环形器3的端口1通过单模光纤直接连接；所述光纤环形器3的端口2与所述单模3×3光纤耦合器4的一端第二端口通过单模光纤直接连接；所述单模3×3光纤耦合器4的另一端第一端口与所述延迟光纤5的一端通过所述第一单模光纤10连接；所述延迟光纤5的另一端与所述第一单模1×2光纤耦合器6的一端第一端口通过所述第二单模光纤11连接；所述单模3×3光纤耦合器4的另一端第三端口与所述第一单模1×2光纤耦合器6的一端第二端口通过所述第三单模光纤12连接；所述第一单模1×2光纤耦合器6的另一端端口与所述光纤传感器7通过所述第四单模光纤13连接；所述光纤传感器7的另一端端口与所述第二单模1×2光纤耦合器8的一端通过所述第五单模光纤14连接；所述第二单模1×2光纤耦合器8另一端的两个端口通过所述第六单模光纤15连接；所述光纤环形器3的端口3与所述光功率计9连接；所述单模3×3光纤耦合器4的一端第一端口与所述光纤转接器16的一端通过单模光纤直接连接；所述单模3×3光纤耦合器4的一端第三端口与所述光纤转接器17的一端通过单模光纤直接连接；所述光纤转接器16的另一端与所述平衡光电探测器18的输入端口通过单模光纤连接；所述光纤转接器17的另一端与所述平衡光电探测器18的输入端口通过单模光纤连接；所述平衡光电探测器18的三个输出端口与所述模拟低通滤波器19的输入端口相连；所述模拟低通滤波器19的三个输出端口与所述数据采集卡20相连；所述数据采集卡20的输出端口与上位机21相连； 所述高压碳化硅功率模块内部局部放电检测方法包括以下步骤： 步骤1：令所述光纤传感器7的直径R小于功率模块内部介质声波波长λ； 步骤2：将所述光纤传感器7放置于功率模块内部灌封胶的表面，并均匀涂抹声耦合剂； 步骤3：开启所述宽带光源1，功率模块内部局部放电超声信号对经过所述光纤传感器7的光波进行调制，调制后的光波在所述单模3×3光纤耦合器4内部进行干涉，并将包含相位变化的信号传输给所述平衡光电探测器18，所述平衡光电探测器18将包含相位变化的光信号转化为电压信号； 步骤4：所述平衡光电探测器18输出的电压信号经过所述模拟低通滤波器19的抗混叠滤波后，变为U1,U2和U3三路信号；U1,U2和U3传输到所述数据采集卡20，所述数据采集卡20中运行信号处理算法解调出原始局部放电超声信号；所述运行信号处理算法按照以下公式运行： 其中，U1,U2和U3分别为所述模拟低通滤波器19输出的三路信号，UPD为高压功率模块内部局部放电超声信号，UPD传输给所述上位机21进行波形的显示； 步骤5：计算出测量得到的局部放电超声信号的峰值信噪比，同时绘制功率密度谱，结合功率密度谱的频率分布，判断信噪比是否满足需求；若需要频率分量f1附近的局部放电超声信号并且此时的信噪比不满足需求时，则取出所述光纤传感器7，并重新从步骤1开始，制作符合频率f1的所述光纤传感器7，并按照步骤2、步骤3、步骤4、步骤5重新完成测试。

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