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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院申请的专利一种GaN HEMT功率半桥电路系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116260327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310160863.4，技术领域涉及：H02M1/38；该发明授权一种GaN HEMT功率半桥电路系统是由李祥东;王峻博;王萌;杨伟涛;袁嘉惠;游淑珍;常晶晶设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT功率半桥电路系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种GaNHEMT功率半桥电路系统，包括：死区时间控制电路1、电平移位电路和上侧逻辑电路2、逻辑和控制电路3、高侧驱动4、低侧驱动5、电流检测电路6、高侧器件7、低侧器件8、二极管D、第一电容C101、电感L、第二电容C102和第一电阻R101。本发明实施例的GaNHEMT半桥电路系统在降低电路静态功耗的同时，提高电路性能，且具备防止高侧与低侧器件串通的保护电路系统功能；在提升半桥电路性能的同时，提升了电路的可靠性，降低了设备损坏的风险。

本发明授权一种GaN HEMT功率半桥电路系统在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT功率半桥电路系统，其特征在于，包括：死区时间控制电路1、电平移位电路和上侧逻辑电路2、逻辑和控制电路3、高侧驱动4、低侧驱动5、电流检测电路6、高侧器件7、低侧器件8、二极管D、第一电容C101、电感L、第二电容C102和第一电阻R101，其中， 所述死区时间控制电路1的第一输入端连接第一外部信号源PWM_IN，所述死区时间控制电路1的第一输出端输出第一目标信号PWM_HD且连接所述电平移位电路和上侧逻辑电路2的第一输入端；所述电平移位电路和上侧逻辑电路2的第一输出端输出第二目标信号PWM_HS且连接所述高侧驱动4的第一输入端，所述电平移位电路和上侧逻辑电路2的第二输出端输出第三目标信号STOP_HS且连接所述高侧驱动4的第二输入端，所述高侧驱动4的输出端输出第四目标信号HS且连接所述高侧器件7的栅极； 所述死区时间控制电路1的第二输出端输出第五目标信号PWM_LD且连接所述逻辑和控制电路3的第一输入端；所述逻辑和控制电路3的第一输出端输出第六目标信号PWM_LS且连接所述低侧驱动5的第一输入端，所述逻辑和控制电路3的第二输出端输出第七目标信号STOP_LS且连接所述低侧驱动5的第二输入端；所述低侧驱动5的输出端输出第八目标信号LS且连接所述低侧器件8的栅极和所述电流检测电路6的第一输入端； 所述逻辑和控制电路3的第二输入端输入参考电压VREF，所述逻辑和控制电路3的第三输出端输出第九目标信号CS且连接所述电平移位电路和上侧逻辑电路2的第二输入端，所述逻辑和控制电路3的第四输出端输出第十目标信号UVLO且连接所述电平移位电路和上侧逻辑电路2的第三输入端； 所述死区时间控制电路1的第二输入端、所述电平移位电路和上侧逻辑电路2的第四输入端、所述二极管D的正极连接且输入电源电压VCC，所述电平移位电路和上侧逻辑电路2的第五输入端、所述高侧驱动4的第三输入端、所述第一电容C101的一端连接所述二极管D的负极；所述电平移位电路和上侧逻辑电路2的第六输入端连接接地端GND； 所述死区时间控制电路1的第三输入端、所述逻辑和控制电路3的第三输入端、所述低侧驱动5的第三输入端连接接地端GND；所述逻辑和控制电路3的第四输入端、所述低侧驱动5的第四输入端连接且输入电源电压VCC； 所述高侧驱动4的第四输入端连接所述第一电容C101的另一端、所述高侧器件7的源极、所述电感L的一端、所述低侧器件8的漏极、所述电流检测电路6的第二输入端且连接第二外部信号源SW；所述电感L的另一端连接所述第二电容C102的一端、所述第一电阻R101的一端；所述电流检测电路6的第三输入端、所述第二电容C102的另一端、所述第一电阻R101的另一端和所述低侧器件8的源极连接且接地端GND；所述电流检测电路6的输出端输出电流自动检测信号Current_sense且连接所述逻辑和控制电路3的第五输入端。

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