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龙图腾网获悉南方科技大学嘉兴研究院申请的专利一种二硫化锡掺杂的硅碳负极材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310105364.5，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种二硫化锡掺杂的硅碳负极材料及其制备方法与应用是由徐政和;房大维;姜峰;李超磊;张洪岩;邱伟;王晗设计研发完成，并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二硫化锡掺杂的硅碳负极材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二硫化锡掺杂的硅碳负极材料及其制备方法与应用。所述硅碳负极材料包括管状碳材料和二硫化锡，所述二硫化锡位于所述管状碳材料的表面，每个所述管状碳材料内含有至少一个纳米硅。本发明中的硅碳负极材料含有二硫化锡，可提高硅碳负极材料的比容量与倍率性能，而硅、碳材料则可抑制二硫化锡的体积膨胀，硅、碳材料与二硫化锡表现出良好的兼容性。因此，二硫化锡掺杂的硅碳负极材料具有优秀的比容量与倍率性能，将其应用于电池中，电池的比容量、倍率性能及循环稳定性好。

本发明授权一种二硫化锡掺杂的硅碳负极材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种二硫化锡掺杂的硅碳负极材料，其特征在于，包括管状碳材料和二硫化锡纳米片，所述二硫化锡纳米片位于所述管状碳材料的表面，每个所述管状碳材料内含有至少一个纳米硅，所述管状碳材料的管壁厚度为20-80nm，其中，所述二硫化锡纳米片原位生长于所述管状碳材料表面，所述管状碳材料的表面设有多个二硫化锡纳米片，部分或全部的所述二硫化锡纳米片的一端连接于所述管状碳材料的表面，另一端远离所述管状碳材料； 所述二硫化锡掺杂的硅碳负极材料的制备方法包括如下步骤： S1，取纳米硅，经牺牲层材料包覆后，得到牺牲层包覆的纳米硅，为中间体Ⅰ；其中，牺牲层材料包括金属碳酸盐； S2，中间体Ⅰ与碳源材料混合，经静电纺丝，碳化，得到碳材料层包覆中间体Ⅰ的复合材料，为中间体Ⅱ；其中，碳源材料包括聚合物碳源，所述聚合物碳源包括聚丙烯腈或聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种； S3，除去牺牲层，得到碳材料层包覆纳米硅的复合材料，为中间体Ⅲ； S4，将中间体Ⅲ与硫源材料、四氯化锡混合，置于反应釜内，在150-300°C下反应12-24h，得到所述硅碳负极材料，其中，所述硫源材料包括l-半胱氨酸、硫代乙酰胺或硫脲中的至少一种。

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