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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种提高抗静电能力的GaN基外延结构生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230815B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310102197.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种提高抗静电能力的GaN基外延结构生长方法是由马野;刘恒山;马昆旺;宋水燕;邹声斌设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高抗静电能力的GaN基外延结构生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种提高抗静电能力的GaN基外延结构生长方法，包括如下步骤：S3：依次生长10‑30纳米的掺杂Si的N‑AlGaN层和5‑15纳米的GaN层；生长掺杂Si的N‑AlGaN层时，设定反应腔温度900‑1200度，压力100Torr‑300Torr，其中Si的掺杂浓度为101818‑101919atomcm33；生长GaN层时，设定反应腔温度900‑1200度，压力100Torr‑300Torr；S4：将所述S3循环8‑10次；本发明的有益效果在于：所述S3和S4形成的结构为应力释放层，所述应力释放层利用了Al的高能阶形成n型AlGaNGaN交替的超晶格层，利用短周期超晶格技术路线能有效提升载流子输运性能，因此在GaN和AlGaN之间形成异质结时，会产生自发的极化，较大程度提升LED外延结构的抗静电性能。

本发明授权一种提高抗静电能力的GaN基外延结构生长方法在权利要求书中公布了：1.一种提高抗静电能力的GaN基外延结构生长方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：将衬底置入反应腔，生长N型AlGaN层； S2：设定反应腔温度1000-1100度，压力100Torr-300Torr，生长2-3微米的掺杂Si的N-GaN层，其中Si的掺杂浓度为1018-1019atomcm3； S3：依次生长10-30纳米的掺杂Si的N-AlGaN层和5-15纳米的GaN层； 生长掺杂Si的N-AlGaN层时，设定反应腔温度900-1200度，压力100Torr-300Torr，其中Si的掺杂浓度为1018-1019atomcm3； 生长GaN层时，设定反应腔温度900-1200度，压力100Torr-300Torr； S4：将所述S3循环8-10次； S5：生长多量子阱层； S6：生长P型GaN层；完成LED外延结构的制备。

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