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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利曝光位置的确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310194205.7，技术领域涉及：H10P72/50；该发明授权曝光位置的确定方法是由陆影;许世峰设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本曝光位置的确定方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种曝光位置的确定方法，包括：根据芯片的尺寸获取曝光单元的尺寸，曝光单元包括至少一个子曝光单元，子曝光单元的尺寸与芯片的尺寸相同；根据曝光单元的尺寸获取曝光单元在晶圆上的初始排布位置，初始排布位置包括沿第一方向和第二方向阵列排布的多个曝光单元；以沿第一方向排列的多个曝光单元作为一行，将多行曝光单元分别沿第一方向移动，并获取每一行曝光单元的移动距离；根据每一行曝光单元的移动距离，获取曝光单元在晶圆上的目标排布位置，目标排布位置中的有效曝光单元的数量小于初始排布位置中的有效曝光单元的数量。本公开实施例提供的曝光位置的确定方法至少有利于提高半导体结构的制造效益。

本发明授权曝光位置的确定方法在权利要求书中公布了：1.一种曝光位置的确定方法，其特征在于，包括： 根据芯片的尺寸获取曝光单元的尺寸，所述曝光单元包括至少一个子曝光单元，所述子曝光单元的尺寸与所述芯片的尺寸相同； 根据所述曝光单元的尺寸获取所述曝光单元在晶圆上的初始排布位置，所述初始排布位置包括沿第一方向和第二方向阵列排布的多个所述曝光单元； 以沿所述第一方向排列的多个所述曝光单元作为一行，将多行所述曝光单元分别沿所述第一方向移动，并获取每一行所述曝光单元的移动距离； 根据每一行所述曝光单元的所述移动距离，获取所述曝光单元在所述晶圆上的目标排布位置，所述目标排布位置中的有效曝光单元的数量小于所述初始排布位置中的所述有效曝光单元的数量，其中，所述有效曝光单元被判定为所述曝光单元中的有效子曝光单元的数量与所述曝光单元中所述子曝光单元的总数量之比大于等于预设值，所述有效子曝光单元被判定为在垂直于所述晶圆表面的正投影位于所述晶圆内部的所述子曝光单元。

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