中国工程物理研究院化工材料研究所何璇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国工程物理研究院化工材料研究所申请的专利一种AuNPs@聚酰亚胺SERS加热芯片的制备及应用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116223476B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310006741.X，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种AuNPs@聚酰亚胺SERS加热芯片的制备及应用方法是由何璇;刘渝;刘忠平;戴宇设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种AuNPs@聚酰亚胺SERS加热芯片的制备及应用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AuNPs@聚酰亚胺SERS加热芯片的制备及应用方法，通过界面自组装技术制备大规模的AuNPs阵列薄膜，并转移至具有加热系统的聚酰亚胺薄膜上，形成AuNPs@聚酰亚胺加热薄膜作APHC为SERS芯片，借助APHC对TNT分子进行原位热富集，通过简单操作能有效地从混合系统中收集样品。这种灵活的、可加热的SERS芯片对复杂环境系统中目标分子的高效、灵敏和原位检测具有极大的意义。
本发明授权一种AuNPs@聚酰亚胺SERS加热芯片的制备及应用方法在权利要求书中公布了：1.一种AuNPs@聚酰亚胺SERS加热芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将氯金酸溶液加入超纯水中煮沸，快速注入柠檬酸钠溶液并搅拌，得到第一代金胶体，降低反应溶液温度至80~90℃，将第一代金胶体、柠檬酸钠溶液、超纯水混合搅拌，每隔20~30min注入氯金酸，重复两次，得到第二代金胶体；重复上述操作，直至得到第四代金胶体； 2将第四代金胶体注入烧杯中，加入环己烷形成油水界面，快速注入乙醇在界面处形成阵列排布的金纳米薄膜，待环己烷挥发后将薄膜转移至聚酰亚胺加热器上，随后将金纳米粒子负载的聚酰亚胺加热膜APHC浸入4-氨基苯硫酚4-ATP溶液中，即得到AuNPs@聚酰亚胺SERS加热芯片。
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