中国科学院微电子研究所孔真真获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111446531.X，技术领域涉及：H10D62/815；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由孔真真;王桂磊;亨利·H·阿达姆松;苗渊浩;杜勇;苏佳乐;张毅文;任宇辉设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括基底，基底上方形成锗虚拟衬底层，锗虚拟衬底层上方形成锗硅逆渐变缓冲层，锗硅逆渐缓冲层上方形成第一锗硅限制层，第一锗硅限制层上方形成锗量子阱层和硅量子阱层，锗量子阱层和硅量子阱层上方形成第二锗硅限制层，第二锗硅限制层上方形成硅帽层。通过两个锗硅限制层，同时将二维电子气和二维空穴气限制在由锗量子阱层和硅量子阱层组成的SiGe双层超晶格内，与主流CMOS工艺兼容。通过匹配应变锗量子阱层和硅量子阱层组成的SiGe双层超晶格中的空间间接激子，能够观察到质量不平衡电子空穴物理超流和玻色‑爱因斯坦凝聚，便于形成半导体量子点等结构进行物理超流和玻色‑爱因斯坦凝聚实验验证。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 形成在所述基底上方的锗虚拟衬底层； 形成在所述锗虚拟衬底层上方的锗硅逆渐变缓冲层，所述锗硅逆渐变缓冲层的材料为GexSi1-x，其中，x从所述锗硅逆渐变缓冲层的底部至所述锗硅逆渐变缓冲层顶部，由1.0逆渐变截止到0.6~0.95之间的任意值； 形成在所述锗硅逆渐变缓冲层上方的第一锗硅限制层； 形成在所述第一锗硅限制层上方的锗量子阱层和硅量子阱层； 形成在所述锗量子阱层和硅量子阱层的上方的第二锗硅限制层； 形成在所述第二锗硅限制层上方的硅帽层； 其中，所述第一锗硅限制层和第二锗硅限制层的材料均为GeySi1-y，其中，y为0.6~0.95之间的任意值。
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