京东方科技集团股份有限公司张娟获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利有机发光晶体管及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116193903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111412209.5，技术领域涉及：H10K50/85；该发明授权有机发光晶体管及其制备方法、显示面板是由张娟;孙孟娜;焦志强设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本有机发光晶体管及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：一种有机发光晶体管及其制备方法、发光面板，所述有机发光晶体管包括：基板；设置在所述基板一侧的栅极层；设置在所述栅极层远离所述基板一侧的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层远离所述基板一侧的第一源电极；设置在所述第一源电极远离所述基板一侧的发光功能层；和设置在所述发光功能层远离所述基板一侧的第一漏电极，其中，所述第一源电极远离所述基板一侧的表面具有第一光栅结构。本公开实施例的有机发光晶体管将所述第一源电极的表面设置为光栅结构，可以减弱由于器件内部膜层间折射率的差异性等引起的波导效应、基底效应和SPP效应，使光子更多地成为有效光子，从而使更多的光能够从有机发光晶体管中发射出，提高有机发光晶体管的效率。
本发明授权有机发光晶体管及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种有机发光晶体管，其特征在于，包括： 基板； 设置在所述基板一侧的栅极层； 设置在所述栅极层远离所述基板一侧的栅极绝缘层； 设置在所述栅极绝缘层远离所述基板一侧的第一源电极； 设置在所述第一源电极远离所述基板一侧的发光功能层；和 设置在所述发光功能层远离所述基板一侧的第一漏电极， 其中，所述第一源电极远离所述基板一侧的表面具有第一光栅结构，所述第一光栅结构包括基层和设置在所述基层上的多个凸起；设置在所述基层的周边区域的凸起具有第一高度，设置在所述基层的中部区域的凸起具有第二高度，所述第一高度大于所述第二高度。
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