福建兆元光电有限公司马昆旺获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利提升LED芯片老化后抗静电能力的GaN基外延层生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116154054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310150412.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权提升LED芯片老化后抗静电能力的GaN基外延层生长方法是由马昆旺;马野;邹声斌;贺卫群;刘恒山设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本提升LED芯片老化后抗静电能力的GaN基外延层生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体电子技术领域，具体涉及一种提升LED芯片老化后抗静电能力的GaN基外延层生长方法。该生长方法将AlN衬底放入反应腔中，依次生长buffer层、U型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源区层、低温P型GaN层、p型AlGaN超晶格层和高温P型GaN层；再在高温P型GaN层上生长厚度为5～10nm的电流扩展层，得到GaN基外延层；该方法制备得到P‑InGaNMgNGaN超晶格电流扩展层，可改善了外延层的P型磊晶质量，提升了大电流扩展及老化后LED的抗静电能力。
本发明授权提升LED芯片老化后抗静电能力的GaN基外延层生长方法在权利要求书中公布了：1.一种提升LED芯片老化后抗静电能力的GaN基外延层生长方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在AlN衬底上依次生长buffer层、U型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源区层、低温P型GaN层、p型AlGaN超晶格层和高温P型GaN层； S2：在高温P型GaN层上生长厚度为5～10nm的电流扩展层，得到GaN基外延层； 所述电流扩展层为P-InGaNMgNGaN超晶格。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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