联合微电子中心有限责任公司张海欧获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211737277.3，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由张海欧;王学毅;伍治伦;赵靖祎设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底，形成栅介质层于半导体衬底上；对栅介质层进行解耦等离子体氮化处理，使用的气体包括NxxOyy；对栅介质层进行后氮化退火处理；形成栅导电层于栅介质层上。本发明对栅介质层进行解耦等离子体氮化处理所使用的气体包括NxxOyy，利用NxxOyy等离子体取代常规的N22等离子体，好处在于可以用较低的剂量达到相同的氮浓度来提高栅介质层的K值，同时，NxxOyy等离子体中的氧得以填补栅介质层中的氧空位缺陷，降低缺陷产生几率，从而有利于提升器件的可靠性。另外，本发明的半导体结构的制作方法不需要增加原物料及工艺步骤，从而不会增加生产成本及工艺复杂度。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体衬底，形成栅介质层于所述半导体衬底上，所述栅介质层包括界面层及位于所述界面层上的高K介质层； 对所述栅介质层进行解耦等离子体氮化处理，所述解耦等离子体氮化处理使用的气体包括NxOy以使所述高K介质层中的氧空位缺陷得到填补，其中，x为N的原子组分，y为O的原子组分，x大于0，y大于0； 对所述栅介质层进行后氮化退火处理； 形成栅导电层于所述栅介质层上，所述栅导电层包括金属层。
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