株式会社国际电气花岛建夫获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116057677B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080104258.X，技术领域涉及：H10P14/60；该发明授权衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质是由花岛建夫;石桥清久设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：本发明具有通过将非同时地进行a向在表面设有凹部的衬底供给原料气体的工序、和b向衬底供给反应气体的工序的循环执行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序，在a中，分多次向衬底供给原料气体，将最初供给原料气体时的处理条件设为与在第2次以后供给原料气体时的处理条件相比能够抑制原料气体的自分解的处理条件。
本发明授权衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.衬底处理方法，其具有通过将包含a向在表面设有凹部的衬底供给原料气体的工序、和b向所述衬底供给反应气体的工序的循环执行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序， 在a中，分多次向所述衬底供给所述原料气体，将最初供给所述原料气体时的处理条件设为与在第2次以后供给所述原料气体时的处理条件相比能够抑制所述原料气体的自分解的处理条件， 其中，在a中，使最初供给所述原料气体时的所述原料气体的供给流量小于在第2次以后供给所述原料气体时的所述原料气体的供给流量。
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