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龙图腾网获悉江苏理工学院申请的专利一种ZnO紫外光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053337B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211285871.3，技术领域涉及：H10F77/123；该发明授权一种ZnO紫外光电探测器及制备方法是由赵艳芳;李鹏;包凯琦;庄光亮;封士锐;肖原彬设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种ZnO紫外光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于紫外探测器技术领域，具体涉及一种ZnO紫外光电探测器及制备方法。本发明包括从下至上依次设置的ITO玻璃衬底、n型低维ZnO纳米线结构层、Mg或Cd掺ZnO薄膜层、p型低维ZnO纳米线结构层和上电极层。本发明在p层和n层之间加入Mg或Cd掺ZnO薄膜层可有效拓宽p‑n结耗尽区，同时Mg掺ZnO不但与纯ZnO导电性相似且禁带宽度连续可调，构成自驱动型紫外光电探测器结构，能够有效解决现有的p‑n同质结ZnO紫外光电探测器的p‑n结耗尽区较窄的问题，同时在低维p型低维ZnO纳米线结构层表面沉积Ag纳米颗粒，提高光生电流的产生以及光生载流子的输运最终制备出具有高光响应度紫外光电探测器。

本发明授权一种ZnO紫外光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ZnO紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、清洗ITO玻璃衬底1；依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水对ITO玻璃衬底1进行超声振荡清洗，使用氮气将清洗后的ITO玻璃衬底1吹干，并将ITO玻璃衬底1放置于无尘纸上； S2、制备低维n型低维ZnO纳米线结构层3；采用水热法制备n型低维ZnO纳米线结构层3； S3、将步骤S2中得到的n型低维ZnO纳米线结构层3转移到ITO玻璃衬底1上； S4、制备Mg或Cd掺ZnO薄膜层4；将上述带有n型低维ZnO纳米线结构层3的ITO玻璃衬底1放入磁控溅射真空腔中，采用直流-射频共溅的磁控溅射方式制备Mg或Cd掺ZnO薄膜层4；所述Mg或Cd掺ZnO薄膜层4的晶胞为MgxZn16-xO16或CdxZn16-xO16，其中x为0、1、2、3、4； S5、将制备好的Mg或Cd掺ZnO薄膜层4晶粒放入退火炉中以400-500℃退火，高温区设置保温1-2个小时； S6、制备p型低维ZnO纳米线结构层5；采用水热法制备p型低维ZnO纳米线结构层5，并将p型低维ZnO纳米线结构层5设置在步骤S5制备的Mg或Cd掺ZnO薄膜层4上方； S7、将带有步骤S7中制备好的p型低维ZnO纳米线结构层5的产品放置在磁控溅射真空腔内，采用直流磁控溅射方式将Ag纳米颗粒6沉积在所述p型低维ZnO纳米线结构层5的侧壁上； S8、在不打开真空腔的环境下，在带有Ag纳米颗粒6的产品上制备上电极层7和下电极层2，完成Mg或Cd掺ZnO薄膜层4作为中间层的ZnO紫外光电探测器的制备。

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