无锡迪思微电子有限公司耿明春获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡迪思微电子有限公司申请的专利用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116047857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211675765.6，技术领域涉及：G03F1/38；该发明授权用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法是由耿明春;诸嘉豪设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法。该掩模版包括基板和遮光层，其中，遮光层位于基板的表面上，遮光层中设有多个开口图形，开口图形在基板上的正投影的形状边界具有多个凸起。该用于清洁刻蚀设备的掩模版上的开口图形在基板上的正投影的形状边界具有多个凸起，凸起可以增强静电吸附作用，从而在后续的等离子体清洁作业中能够容易将设备反应腔中的颗粒吸附在掩模版表面，然后通过等离子体清洁程序去除吸附在掩模版表面的颗粒，从而可以在不用开腔的情况下清洁刻蚀设备的反应腔，进而解决了现有技术中清洁刻蚀设备的反应腔耗时过长的问题。
本发明授权用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀设备的清洁方法，其特征在于，包括： 获取所述刻蚀设备的运行状态； 确定所述运行状态是否为停机状态； 在所述运行状态为所述停机状态的情况下，控制将掩模版传入所述刻蚀设备的反应腔中，所述掩模版用于吸附所述反应腔中的颗粒； 控制对所述反应腔进行抽真空和或放真空，使得所述反应腔的压力控制在预定压力范围内； 控制向所述反应腔内通入预定流量范围的氧气，并开启射频功率，在所述反应腔中形成等离子体，对所述掩模版上吸附的所述颗粒进行清洁处理。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡迪思微电子有限公司，其通讯地址为：214135 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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