福建兆元光电有限公司齐佳鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种LED倒装芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211711601.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种LED倒装芯片的制造方法是由齐佳鹏;李慧敏;张帆;钟伟华;林武;李景浩;李家昌设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED倒装芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体电子技术领域，特别涉及一种LED倒装芯片的制造方法。该制造方法，先在衬底上依次生长出N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层，再依次制备、电流阻挡层和ITO层，同步光刻Mesa台阶面和切割道，再依次制备得到Mesa台阶面、切割道、电流扩展层、DBR反射层和金属电极焊盘层。该制造方法将Mesa台阶面与切割道同步光刻作业，以减少曝光偏移，最大限度保留GaN层的面积及其上ITO的面积。
本发明授权一种LED倒装芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种LED倒装芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在衬底上依次生长出N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层； S2：在P-GaN层上方制备电流阻挡层； S3：在电流阻挡层的上方蒸镀一层ITO层； S4：光刻后得到Mesa光刻图形和切割道图形； S5：先使用ITO蚀刻液进行腐蚀，再刻蚀得到Mesa台阶面，并同步刻蚀切割道图形的上层； S6：使用正性光刻胶覆盖保护裸露的N-GaN层，刻蚀后得到切割道； S7：通过蒸镀在N-GaN层和P-GaN层的裸露部分形成电流扩展层； S8：通过蒸镀以及刻蚀在P-GaN层的上方形成DBR反射层； S9：蒸镀P型焊盘和N型焊盘得到金属电极焊盘层，并注入DBR刻蚀孔与电流扩展层连接导通。
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