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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995464B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111216192.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵振阳;苏博;金吉松设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：形成衬底，包括第一区和若干第二区，衬底上具有相互分立的若干初始鳍部；形成第一隔离层以及第一隔离层上的第一掩膜层，第一隔离层和第一掩膜层暴露出若干第二区的若干初始鳍部；在形成第一掩膜层后，以第一掩膜层为掩膜，刻蚀若干第二区上的若干初始鳍部，形成若干中间鳍部；对若干第二区上的中间鳍部和衬底进行离子注入，形成改性区；去除改性区，形成若干鳍部，并且，去除改性区之后，第二区表面具有交替的若干凸起和若干凹陷，第二区表面低于第一区表面，或者第二区表面的最高处齐平于第一区表面；在去除改性区后，在若干第二区表面形成第二隔离层。从而提高了半导体结构的性能和可靠性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 形成衬底，所述衬底上具有相互分立的若干初始鳍部，若干初始鳍部之间的间距均匀，所述衬底包括第一区和若干第二区，且若干初始鳍部位于所述第一区和若干第二区上； 在所述第一区表面和第一区上的若干初始鳍部表面形成第一隔离层、以及位于第一隔离层上的第一掩膜层，所述第一隔离层和第一掩膜层暴露出若干第二区的若干初始鳍部； 在形成第一掩膜层后，以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀若干第二区上的若干初始鳍部，形成若干中间鳍部，所述第二区上的中间鳍部顶面高于衬底表面且低于第一区上的中间鳍部顶面； 对若干第二区上的中间鳍部和衬底进行离子注入，在第二区上的中间鳍部和衬底中形成改性区； 刻蚀所述改性区，直至去除所述改性区，形成若干鳍部，并且，去除所述改性区之后，所述第二区表面具有交替的若干凸起和若干凹陷，所述第二区表面低于第一区表面，或者所述第二区表面的最高处齐平于第一区表面； 在去除所述改性区后，在若干第二区表面形成第二隔离层。

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