成都皮兆永存科技有限公司彭泽忠获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉成都皮兆永存科技有限公司申请的专利半导体存储器底层晶体管电路及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211641027.X，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储器底层晶体管电路及制备方法是由彭泽忠;王苛设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器底层晶体管电路及制备方法在说明书摘要公布了：半导体存储器底层晶体管电路及制备方法，涉及集成电路技术，本发明的电路包括设置于行线层上方的列线层，行线层和列线层之间为绝缘隔离层，行线和列线的方向相互垂直；在行线和列线交叉处设置有贯穿列线层和绝缘隔离层的孔；孔内填充有上下两段半导体材料，位于孔内上段的半导体材料的掺杂类型与行线相同，位于孔内下段的半导体材料的掺杂类型与行线相反，在每个孔的位置都形成一个三极管。本发明制备工艺简单，成本低。
本发明授权半导体存储器底层晶体管电路及制备方法在权利要求书中公布了：1.半导体存储器底层晶体管电路，其特征在于，包括设置于行线层上方的列线层，行线层和列线层之间为绝缘隔离层， 行线层内设置有预定数量的、由掺杂半导体材料构成的行线， 列线层包括绝缘材料和设置于绝缘材料中的预定数量的列线，所述列线由导电材料构成； 行线和列线的方向相互垂直；在行线和列线交叉处设置有贯穿列线层和绝缘隔离层的孔； 孔内填充有上下两段半导体材料，位于孔内上段的半导体材料的掺杂类型与行线相同，位于孔内下段的半导体材料的掺杂类型与行线相反，在每个孔的位置都形成一个三极管；位于孔内上段的半导体材料和行线的材料中，其一为符合三极管的集电区所需的材料，另一为符合三极管的发射区所需的材料，位于孔内下段的半导体材料为符合三极管的基区所需的材料； 位于孔内下段的半导体材料与列线接触，并且与孔底的行线接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都皮兆永存科技有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励