福建兆元光电有限公司李慧敏获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种LED银镜芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211711628.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种LED银镜芯片的制造方法是由李慧敏;齐佳鹏;钟伟华;张帆;林武;李景浩;李家昌设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED银镜芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体电子技术领域，特别涉及一种LED银镜芯片的制造方法。该制造方法在GaN外延片上蒸镀ITO导电层，再沉积一层刻蚀掩膜，对刻蚀掩膜进行光刻、刻蚀得到Mesa台阶面，再使用光刻胶覆盖Mesa台阶面，刻蚀后得到切割道；使用BOE溶液腐蚀剩余二氧化硅后再次光刻后蒸镀银镜，得到电流扩展层和反射层，最后依次制备二氧化硅保护层和金属电极焊盘层。该制造方法通过调整制备步骤，实现一次性光刻，可最大限度保留GaN层的面积及其上ITO的面积，增大其发光效率。
本发明授权一种LED银镜芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种LED银镜芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在GaN外延片上蒸镀ITO导电层，再沉积一层二氧化硅作为刻蚀掩膜； S2：对刻蚀掩膜进行光刻，得到Mesa光刻图形和切割道光刻图形； S3：先用BOE溶液腐蚀切割道光刻图形以及Mesa光刻图形的二氧化硅，再用ITO蚀刻液腐蚀ITO导电层，然后刻蚀得到Mesa台阶面； S4：使用光刻胶覆盖Mesa台阶面，刻蚀后得到切割道； S5：使用BOE溶液腐蚀剩余二氧化硅； S6：再次光刻后蒸镀银镜，得到电流扩展层和反射层； S7：沉积一层二氧化硅并进行刻蚀，得到二氧化硅保护层； S8：蒸镀P型焊盘和N型焊盘得到金属电极焊盘层，并注入刻蚀孔与电流扩展层连接导通。
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