福建兆元光电有限公司贺卫群获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种提高外延结晶质量的外延方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954417B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211578289.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种提高外延结晶质量的外延方法是由贺卫群;刘恒山;马昆旺;邹声斌设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高外延结晶质量的外延方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种提高外延结晶质量的外延方法，包括如下步骤：S3：使用511溶剂清洗AIN层，所述511溶剂为硫酸、过氧化氢与纯水按摩尔数5：1：1的比例混合而成；S4：将上述步骤得到的结构放入清洗机，使用去离子水清洗；S5：将上述步骤得到的结构放入甩干机甩干；S6：对上述步骤得到的结构进行退火。本发明的有益效果在于：本发明提供的提高外延结晶质量的外延方法能解决衬底与外延层晶格失配的问题，提高LED芯片质量。
本发明授权一种提高外延结晶质量的外延方法在权利要求书中公布了：1.一种提高外延结晶质量的外延方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：选择蓝宝石或碳化硅作为衬底； S2：在衬底表面形成AIN层； S3：使用511溶剂清洗AIN层，清洗时间7-9分钟，清洗温度50-70度；所述511溶剂为硫酸、过氧化氢与纯水按摩尔数5：1：1的比例混合而成; S4：将上述步骤得到的结构放入清洗机，使用去离子水清洗； S5：将上述步骤得到的结构放入甩干机甩干； S6：对上述步骤得到的结构进行退火； S7：在上述步骤得到的结构表面生长外延层，完成LED芯片的制备。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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