买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111155626.6，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈建设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底内具有相邻的第一阱区和第二阱区，第一阱区内具有第一离子，第二阱区内具有第二离子，第一离子和第二离子的电学类型不同；位于第一阱区上的若干第一鳍部；位于第二阱区上的若干第二鳍部；位于衬底内的隔离开口，隔离开口位于第一阱区和第二阱区之间；位于衬底上和隔离开口内的隔离层，隔离层覆盖第一鳍部和第二鳍部的部分侧壁，且隔离层的顶部表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部表面。通过位于隔离开口内的隔离层，能够有效对第一阱区和第二阱区进行隔离，进而能够减少后续形成的晶体管之间发生短接的问题，以此提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内具有相邻的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区内具有第一离子，所述第二阱区内具有第二离子，所述第一离子和所述第二离子的电学类型不同； 形成隔离开口、若干第一鳍部和若干第二鳍部，所述第一鳍部位于所述第一阱区上，所述第二鳍部位于所述第二阱区上，所述隔离开口位于所述第一阱区和所述第二阱区之间； 在所述衬底上和所述隔离开口内形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部和所述第二鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的顶部表面低于所述第一鳍部和所述第二鳍部的顶部表面；其中， 所述隔离开口、第一鳍部和第二鳍部的形成方法包括：在所述衬底上形成第一半导体材料层和第二半导体材料层；在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层上形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分所述第一半导体材料层和部分所述第二半导体材料层的顶部表面；在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成图形化开口；以所述第一图形化层和所述图形化开口为掩膜刻蚀所述第一半导体材料层、第二半导体材料层、第一阱区和第二阱区，形成所述第一鳍部、第二鳍部和隔离开口； 所述第一半导体材料层、第二半导体材料层以及图形化开口的形成方法包括：在所述衬底上形成初始第一半导体材料层；去除部分所述初始第一半导体材料层，形成所述第一半导体材料层和初始第一开口，所述初始第一开口位于所述第二阱区上；在所述初始第一开口的侧壁形成侧墙，形成第一开口；在所述第一开口内形成所述第二半导体材料层，所述第二半导体材料层与所述第一半导体材料层的材料不同；去除所述侧墙，在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成所述图形化开口。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。