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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111129827.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：下层器件结构，包括基底、以及位于基底上的第一N型晶体管和第一P型晶体管，第一N型晶体管和第一P型晶体管包括第一栅极结构、第一源极、第一漏极和第一沟道层，下层器件结构具有背向基底的键合面；一个或多个堆叠于键合面上的上层器件结构，包括第二N型晶体管和第二P型晶体管，第二N型晶体管和第二P型晶体管包括第二栅极结构、第二源极、第二漏极和第二沟道层；键合层，位于相邻下层器件结构和上层器件结构和或相邻上层器件结构之间。本发明能够实现不限层数的电路堆叠的效果，有利于节约半导体结构的占用面积。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 下层器件结构，包括基底、以及位于所述基底上的第一N型晶体管和第一P型晶体管，所述第一N型晶体管和第一P型晶体管均包括第一栅极结构、分别位于所述第一栅极结构两侧的第一源极和第一漏极、以及被所述第一栅极结构覆盖且沿平行于所述基底表面方向连接所述第一源极和第一漏极的第一沟道层，所述第一栅极结构包括第一栅介质层和位于所述第一栅介质层上的第一栅电极层，所述下层器件结构具有背向所述基底的键合面； 一个或多个沿所述基底表面法线方向堆叠于所述键合面上的上层器件结构，所述上层器件结构包括：第二N型晶体管和第二P型晶体管，所述第二N型晶体管和第二P型晶体管均包括第二栅极结构、分别位于所述第二栅极结构两侧的第二源极和第二漏极、以及被所述第二栅极结构覆盖且沿平行于所述基底表面方向连接所述第二源极和第二漏极的第二沟道层，所述第二栅极结构包括第二栅介质层和位于所述第二栅介质层上的第二栅电极层； 键合层，位于相邻所述下层器件结构和上层器件结构之间，且当所述上层器件结构的数量为多个时，所述键合层还位于相邻所述上层器件结构之间； 所述下层器件结构中的第一N型晶体管和第一P型晶体管构成第一反相器，所述上层器件结构中的第二N型晶体管和第二P型晶体管构成第二反相器，所述第二反相器与所述第一反相器实现串联。

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