华邦电子股份有限公司颜英竹获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利监控与控制半导体工艺的方法与系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111138758.8，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权监控与控制半导体工艺的方法与系统是由颜英竹;张维哲设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本监控与控制半导体工艺的方法与系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种监控与控制半导体工艺的方法与系统。所述方法包括：在一基底形成至少一有源区域；形成至少一所述有源区域之后，在至少一所述有源区域上形成用于定义至少两个字线的第一图案化光致抗蚀剂层；检测及测量至少一所述有源区域与所述第一图案化光致抗蚀剂层的位置及尺寸，并依据至少一位线的预定义位置计算至少一所述有源区域中的至少两个预估接触窗的预估面积；依据至少一所述有源区域中的至少两个预估接触窗的所述预估面积来调整至少一所述位线的所述预定义位置；以及，在所述基底上形成第二图案化光致抗蚀剂层，第二图案化光致抗蚀剂层对应经调整的位线的预定义位置。
本发明授权监控与控制半导体工艺的方法与系统在权利要求书中公布了：1.一种监控与控制半导体工艺的方法，其特征在于，包括： 在基底形成至少一个有源区域； 在形成至少一个所述有源区域后，在至少一个所述有源区域上形成用于定义至少两个字线的第一图案化光致抗蚀剂层； 检测及测量至少一个所述有源区域与所述第一图案化光致抗蚀剂层的位置及尺寸，并依据至少一个位线的预定义位置计算至少一个所述有源区域中的至少两个预估接触窗的预估面积； 依据至少一个所述有源区域中的至少两个预估接触窗的所述预估面积来调整至少一个所述位线的所述预定义位置；以及 在所述基底上形成第二图案化光致抗蚀剂层，其中所述第二图案化光致抗蚀剂层对应于经调整的至少一个所述位线的所述预定义位置。
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