拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司刘春获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司申请的专利一种用于晶圆切割后活化预处理的真空腔室及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211562853.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种用于晶圆切割后活化预处理的真空腔室及方法是由刘春;戴佳卉设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于晶圆切割后活化预处理的真空腔室及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于晶圆切割后活化预处理的真空腔室及方法，用于切割后的晶圆表面的活化预处理，切割后的晶圆以多个芯片的形式置于由环状金属框架包围的胶带上，真空腔室包括：设有射频电极的上极板和下极板，上极板卡设于环状的上盖板中央，下极板的形状大小与真空腔室顶面的上极板相一致且覆盖胶带上的多个芯片所在的区域范围，下极板的外周套设有石英环，下极板底部中央连接有升降机构；腔室底板和腔室侧壁，升降机构穿过腔室底板，腔室侧壁上开有传片通道，切割后的晶圆通过传片通道进出真空腔室；以及用于遮挡传片通道的升降环，升降环通过升降实现传片通道的开闭。
本发明授权一种用于晶圆切割后活化预处理的真空腔室及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于晶圆切割后活化预处理的真空腔室，用于切割后的晶圆表面的活化预处理，所述切割后的晶圆以多个芯片的形式置于由环状金属框架包围的胶带上，其特征在于，所述真空腔室包括： 设有射频电极的上极板和下极板，所述上极板卡设于环状的上盖板中央，所述上极板和所述上盖板的下表面共同构成了所述真空腔室的顶面，所述下极板的形状大小与所述真空腔室顶面的所述上极板相一致且覆盖所述胶带上的多个芯片所在的区域范围，所述下极板的外周套设有石英环，用于在活化反应过程中盛接所述金属框架以防止其下表面异常放电，所述下极板底部中央连接有升降机构以使所述下极板带动所述切割后的晶圆上下移动； 腔室底板和腔室侧壁，所述升降机构穿过所述腔室底板以在所述真空腔室内部控制所述下极板的升降，所述腔室侧壁上开有方形的传片通道，所述切割后的晶圆通过所述传片通道进出所述真空腔室；以及 用于遮挡所述传片通道的升降环，所述升降环通过升降实现所述传片通道的开闭。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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