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龙图腾网获悉华中师范大学申请的专利反射型双极化1bit编码器件、方法以及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832714B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211672827.8，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权反射型双极化1bit编码器件、方法以及系统是由林海;严泰;于文;王婧;姚梦迪设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本反射型双极化1bit编码器件、方法以及系统在说明书摘要公布了：本申请公开了反射型双极化1bit编码器件、方法以及系统。该反射型双极化1bit编码器件包括：x方向馈电层；y方向馈电层；金属地层；基板；设置于基板上且周期性排列的N×N个结构单元组成的二维阵列；结构单元包括一中心金属贴片，和由近至远依次包围中心金属贴片的电容、外围金属贴片、电感和金属过孔，中心金属贴片、电容、外围金属贴片、电感和金属过孔依次电导通；中心金属贴片的中心界定为一xy坐标系的原点，xy坐标系的x轴界定x方向馈电层的x方向，xy坐标系的y轴界定y方向馈电层的y方向。本申请适用于毫米波频段通信，由于变容二极管同时搭载在x方向和y方向，可对两种极化方向的入射波均起到良好的调控作用。

本发明授权反射型双极化1bit编码器件、方法以及系统在权利要求书中公布了：1.一种反射型双极化1bit编码器件，其特征在于，包括： x方向馈电层； y方向馈电层； 金属地层； 基板； 设置于基板上且周期性排列的个结构单元组成的二维阵列； 所述结构单元包括一中心金属贴片，和由近至远依次包围所述中心金属贴片的电容、外围金属贴片、电感和金属过孔，所述中心金属贴片、电容、外围金属贴片、电感和金属过孔依次电导通，每个结构单元的所述电容、外围金属贴片、电感和金属过孔各有四个，其分别围绕中心金属贴片的中心以90°间隔角呈环形排布； 所述中心金属贴片的形状为中心去角的正方形，所述中心金属贴片的边长为15~20毫米，去角边长为0.5~3毫米，所述外围金属贴片在指向所述中心金属贴片的方向上呈倒置梯形，所述外围金属贴片的远离所述中心金属贴片的底边的长度与所述中心金属贴片的边长相同，所述外围金属贴片的靠近所述中心金属贴片的底边的长度与所述正方形去角之后的边长相同； 所述中心金属贴片的中心界定为一xy坐标系的原点，所述xy坐标系的x轴界定x方向馈电层的x方向，所述xy坐标系的y轴界定y方向馈电层的y方向。

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