买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利探测器级高纯锗单晶的深能级缺陷的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115825682B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211597289.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权探测器级高纯锗单晶的深能级缺陷的检测方法是由顾小英;赵青松;牛晓东;狄聚青设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本探测器级高纯锗单晶的深能级缺陷的检测方法在说明书摘要公布了：一种探测器级高纯锗单晶的深能级缺陷的检测方法包括步骤：探测器级高纯锗单晶为p型锗单晶，在p型锗单晶的头部取霍尔样片和位错样片分别进行载流子浓度和位错密度检测、在p型锗单晶的剩余晶体的头部取DLTS样片；处理；在DLTS样片的正面溅射圆点锡膜作为肖特基电极，DLTS样片的背面用锡箔连接铜片，铜片的表面外轮廓大于DLTS样片，锡箔的覆盖并接触DLTS样片的背面的部分作为欧姆电极，所述部分的面积为圆点锡膜的面积的十倍以上，由此形成检测样品；检测：接触检测，若肖特基电极和欧姆电极的接触没有问题，则进行常温IV曲线检测，若检测样品形成肖特基接触，则进行DLTS谱信号检测，如DLTS谱信号良好，则开始进行完整的低温DLTS检测以获得DLTS谱。

本发明授权探测器级高纯锗单晶的深能级缺陷的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种探测器级高纯锗单晶的深能级缺陷的检测方法，包括步骤： S1，取样：探测器级高纯锗单晶为p型锗单晶，在p型锗单晶的头部取霍尔样片和位错样片分别进行载流子浓度和位错密度检测，若p型锗单晶的霍尔样片的载流子浓度＜2E10cm-3且p型锗单晶的位错样片的位错密度＜10000cm-2，则在p型锗单晶的剩余晶体的头部取DLTS样片； S2，处理：将DLTS样片进行表面研磨、抛光、腐蚀至镜面，用纯水清洗，吹干即可； S3，电极制备：在DLTS样片的正面溅射圆点锡膜，圆点锡膜作为肖特基电极，DLTS样片的背面用锡箔连接铜片，锡箔至少部分覆盖并接触DLTS样片的背面，铜片的表面外轮廓大于DLTS样片的表面外轮廓，锡箔的覆盖并接触DLTS样片的背面的部分作为欧姆电极，锡箔的覆盖并接触DLTS样片的背面的所述部分的面积为圆点锡膜的面积的十倍以上；之后进行退火，由此形成检测样品； S4，检测，将检测样品放入DLTS检测设备的样品台中，样品台的正极探针与检测样品的肖特基电极接触，样品台的负极探针与铜片的超出DLTS样片的表面外轮廓的部分接触，然后进行接触检测，以确定肖特基电极和欧姆电极的接触是否有问题，若肖特基电极和欧姆电极的接触没有问题，则进行常温IV曲线检测，若检测样品形成肖特基接触，则进行DLTS谱信号检测，如DLTS谱信号良好，则开始进行完整的低温DLTS检测以获得DLTS谱。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽光智科技有限公司，其通讯地址为：239004 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。