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龙图腾网获悉广东众元半导体科技有限公司申请的专利一种动态控制源流量的分子束源炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115807261B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111064453.7，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权一种动态控制源流量的分子束源炉是由刘胜;甘志银;沈桥;植成杨;严晗设计研发完成，并于2021-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种动态控制源流量的分子束源炉在说明书摘要公布了：本发明提供一种动态控制源流量的分子束源炉，从源材料容器底部往顶部依次安装有底层源蒸发预加热装置，中间层动态温度补偿加热装置，顶层束流高低温加热装置。各层分别对源材料进行加热。根据材料的外延生长速率需要合理设置底层源蒸发预加热装置的功率，根据材料组分或材料掺杂变化情况，需要合理调整中间层动态温度补偿加热装置和顶层束流高低温加热装置的功率，从而解决分子束外延生长系统中快速动态调整掺杂金属源流量的难题。

本发明授权一种动态控制源流量的分子束源炉在权利要求书中公布了：1.一种动态控制源流量的分子束源炉，其特征在于在源材料容器中，从底部往顶部依次设置底层源蒸发预加热装置，中间层动态温度补偿加热装置，顶层束流高低温加热装置；所述底层源蒸发预加热装置用于将装在源材料容器内的源材料熔化，其结构是在源材料容器外围设置两段式电阻加热片和两段式电阻加热片外围的陶瓷保护外壳；所述中间层动态温度补偿加热装置设置在源材料容器中部位置，用于通过其电磁发射器加热磁性金属圆片，进而对升华的源材料蒸汽温度进行补偿和调控，其结构包含源材料容器外围的中电磁发射器和源材料容器内部在源材料上方的中磁性金属圆片；所述顶层束流高低温加热装置设置在原材料容器上部位置，用于通过其电磁发射器加热磁性金属圆片，并根据材料外延生长工艺实时调整加热功率以控制到达衬底的源材料蒸汽量，其结构包含源材料容器外围的上电磁发射器和源材料容器内部在中磁性金属圆片上方的上磁性金属圆片；其中，当需要增加源材料束流时，控制顶层束流高低温加热装置的加热功率高于中间层动态温度补偿加热装置的加热功率；当需要减小源材料束流时，控制顶层束流高低温加热装置的加热功率低于中间层动态温度补偿加热装置的加热功率，使部分源材料蒸汽冷凝。

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