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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种基于高斯过程回归的器件参数提取方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115796100B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211122351.0，技术领域涉及：G06F30/373；该发明授权一种基于高斯过程回归的器件参数提取方法及装置是由张飞翔;李琛;余学儒;陈保安;杨何勇设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于高斯过程回归的器件参数提取方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于高斯过程回归的器件参数提取方法及装置，通过计算当前次迭代的参数控制范围和之前各次迭代的参数控制范围在选值范围坐标上投影形成的空间重叠区间，以及各空间重叠区间在选值范围坐标上的空间重叠次数，按空间重叠次数由少到多，对各空间重叠区间分别赋予由小到大的采样概率，得到下一次迭代所需的采样率，因而在决定下一次迭代所需的训练样本时，不仅考虑了当前训练样本所训练出的高斯过程回归模型所得到的参数信息，还将所有次迭代返回的参数信息进行了融合，进而决定下次迭代所需的训练样本范围，从而可以避免陷入局部最优解。

本发明授权一种基于高斯过程回归的器件参数提取方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于高斯过程回归的器件参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：初始化，确定参数选值范围； 步骤S2：对所述参数按当前次迭代的采样率采样，得到参数样本集； 步骤S3：进行器件仿真，得到与所述参数样本集对应的特性信息样本集； 步骤S4：将所述特性信息样本集作为高斯过程回归的可观测输入样本，并将所述参数样本集作为所述高斯过程回归的可观测输出样本，进行模型训练，得到当前次迭代的高斯过程回归模型； 步骤S5：将器件的实际特性信息输入至所述当前次迭代的高斯过程回归模型中，得到回归出的所述参数的当前次迭代的参数均值和标准差； 步骤S6：判断是否满足收敛条件，若满足，则转至步骤S10，若不满足，则继续步骤S7至步骤S9； 步骤S7：根据所述当前次迭代的参数均值和标准差，计算所述参数的当前次迭代的参数控制范围； 步骤S8：计算所述当前次迭代的参数控制范围和之前各次迭代的参数控制范围在所述选值范围坐标上投影形成的空间重叠区间，以及各所述空间重叠区间在所述选值范围坐标上的累计空间重叠次数，按所述空间重叠次数由少到多，对各所述空间重叠区间分别赋予由小到大的采样概率，得到下一次迭代的采样率； 步骤S9：以所述下一次迭代的采样率替代所述当前次迭代的采样率，重复步骤S2至步骤S6； 步骤S10：结束。

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