重庆大学叶东海获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115786104B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211528020.7，技术领域涉及：C12M1/42；该发明授权一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置及制备方法是由叶东海;王雪峰;鞠熀先;柏亚七;吴洁;张小玲;王琼;杨军;胡宁设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及细胞电融合芯片领域，公开了一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置及制备方法，基于双侧进样的双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置，包括从下到上依次设置的电极层和PDMS双侧流场捕获结构层，电极层连接有外细胞电融合仪，PDMS双侧流场捕获结构层包括若干阵列排布的捕获配对结构和通道，捕获配对结构均包括位于中部的配对结构和位于配对结构两侧的捕获结构，两个捕获结构对称设置。本发明能够实现细胞的快速、高效融合。
本发明授权一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双侧进样的高通量双凹形捕获配对结构阵列的细胞电融合芯片装置，其特征在于：包括从下到上依次设置的电极层和PDMS双侧流场捕获结构层，所述电极层连接有外细胞电融合仪，所述PDMS双侧流场捕获结构层包括若干阵列排布的捕获配对结构和通道，捕获配对结构均包括位于中部的配对结构和位于配对结构两侧的捕获结构，两个捕获结构对称设置；还包括与通道配合的PDMS融合结构芯片，PDMS融合结构芯片上设置有两个进样口、两个出样口、结构微柱、微通道和储样池，结构微柱、微通道和储样池均设置在PDMS融合结构芯片底部，两个进样口和两个出样口均设置为竖向垂直贯穿PDMS融合结构芯片并位于储样池的上方；且两个进样口分别位于位于PDMS融合芯片的两端，两个出样口也分别位于PDMS融合芯片的两端。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆大学，其通讯地址为：400044 重庆市沙坪坝区正街174号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励