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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十研究所申请的专利具有幅度校准功能的低附加相移数控衰减器及设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115765679B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211411439.4，技术领域涉及：H03H11/24；该发明授权具有幅度校准功能的低附加相移数控衰减器及设计方法是由李想;徐照旭;蔡喆;刘帅;杜明设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有幅度校准功能的低附加相移数控衰减器及设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有幅度校准功能的低附加相移数控衰减器及设计方法，属于毫米波相控阵TR组件集成电路中的数控衰减器领域，包括多个不同衰减量的衰减单元，且不同衰减量的衰减单元分别级联在一起；以及包括幅度误差校准单元和相移补偿单元，所述幅度误差校准单元与衰减单元连接，且用于与衰减单元组合实现所需的衰减位，补偿幅度误差；所述相移补偿单元，用于对附加相移进行补偿。本发明具有低衰减幅度误差的有效收益和低衰减附加相移的有效收益。

本发明授权具有幅度校准功能的低附加相移数控衰减器及设计方法在权利要求书中公布了：1.一种具有幅度校准功能的低附加相移数控衰减器，其特征在于，包括多个不同衰减量的衰减单元，且不同衰减量的衰减单元分别级联在一起；以及包括幅度误差校准单元和相移补偿单元，所述幅度误差校准单元与衰减单元连接，且用于与衰减单元组合实现所需的衰减位，补偿幅度误差；所述相移补偿单元，用于对附加相移进行补偿； 所述多个不同衰减量的衰减单元，从输入到输出依次为0.5dB衰减单元一1，4dB衰减单元2，7.5dB衰减单元3，0.5dB幅度误差校准衰减单元一4，2dB衰减单元5，0.5dB衰减单元二6，0.5dB幅度误差校准衰减单元二7和1dB幅度误差校准单元8；0.5dB衰减单元二6和0.5dB幅度误差校准衰减单元二7组成1dB衰减单元；0.5dB衰减单元一1和1dB衰减单元均通过开关嵌入式T型衰减电路结构实现，2dB衰减单元5和4dB衰减单元2均通过开关嵌入式T型衰减电路结构实现，7.5dB衰减单元3通过开关嵌入式Π型衰减电路结构实现；0.5dB衰减单元二6和0.5dB幅度误差校准衰减单元二7组合实现1dB衰减位，7.5dB衰减单元3和0.5dB幅度误差校准衰减单元一4组合实现8dB衰减位，1dB幅度误差校准单元8为增加的幅度误差校准单元，共能够实现±1dB的衰减幅度误差校准功能； 在4dB衰减单元2、7.5dB衰减单元3和2dB衰减单元5中的电路中均设置有相应所述相移补偿单元，分别用于对4dB衰减单元2、7.5dB衰减单元3和2dB衰减单元5衰减时的附加相移进行补偿，实现数控衰减衰减附加相移的降低； 所述开关嵌入式T型衰减电路结构包括并联MOS开关晶体管M2，MOS开关管控制端串联电阻RG，MOS开关管体端串联电阻RB，并联衰减电阻RP；所述开关嵌入式Π型衰减电路结构包括串联MOS开关晶体管M1，MOS开关管控制端串联电阻RG，MOS开关管体端串联电阻RB，串联衰减电阻RS，并联衰减电阻RP，并联电容Ccomp，并联MOS开关晶体管M2。

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