长鑫存储技术有限公司杨柳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利集成电路修补方法、装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111018992.7，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权集成电路修补方法、装置、电子设备和存储介质是由杨柳设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路修补方法、装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种集成电路修补方法、装置、电子设备和存储介质。该集成电路修补方法包括：在集成电路产品生产过程中，基于预定周期，检测所述集成电路产品的失效单元；根据所述失效单元的检测结果，统计所述生产过程中出现失效单元的失效位置数据；根据所述失效位置数据和现存的修补规则对应的预定失效位置数据之间的数据差异，添加修补方案；根据添加所述修补方案后的产品质量数据，验证所述修补方案，得到验证结果；根据所述验证结果，确定是否根据添加的所述修补方案更新所述修补规则。
本发明授权集成电路修补方法、装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种集成电路修补方法，其特征在于，包括： 在集成电路产品生产过程中，基于预定周期，检测所述集成电路产品的失效单元； 根据所述失效单元的检测结果，统计所述生产过程中出现失效单元的失效位置数据； 根据所述失效位置数据和现存的修补规则对应的预定失效位置数据之间的数据差异，添加修补方案； 根据添加所述修补方案后的产品质量数据，验证所述修补方案，得到验证结果； 根据所述验证结果，确定是否根据添加的所述修补方案更新所述修补规则。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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