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龙图腾网获悉中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所申请的专利一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115714367B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211282063.1，技术领域涉及：H02H11/00；该发明授权一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路是由张小玲;季彦艳;李楠设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路，同时实现低压大功率防反压及耐过压浪涌的功能，当MOSFET关闭时，其体二极管阻塞反向电流；当MOSFET在正向传导过程中打开时，正向电压降和功率损耗显著降低。理想的二极管控制器感知通过MOSFET的反向电流，并迅速关闭它，使得体二极管阻止反向电流。在正常输入电压时，MOS管开通，输出正常电压；当输入电压存在浪涌时，反馈电压控制电路控制MOS管驱动，使其处于线性工作状态，抑制浪涌电压。高压、低能量尖峰由跨接在输入端的电容及瞬态抑制器吸收。余下的电路都用作处理高能量的浪涌。相比传统的几种耐过压电路，其成本低，效率高，损耗小。

本发明授权一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路在权利要求书中公布了：1.一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路，其特征在于，所述电路包括防反接控制回路、检波及充电回路以及反馈回路， 所述防反接控制回路用于电压防反接；所述检波及充电回路和所述反馈回路形成耐过压浪涌子电路； 所述防反接控制回路包括用于反极性保护和反向电流阻断的第一MOS管Q1、用于在反接过程中MOS管栅源电压钳位的第一三极管Q3和用于形成第一三极管Q3导通电流的第二电阻R2， 所述防反接控制回路包括第一MOS管Q1、第一二极管D1、第一三极管Q3、第二电阻R2、第一电阻R1和第二二极管D2， 第一MOS管Q1的S端、第一二极管D1的正端、第一三极管Q3的E端与直流输入正端连接；第一二极管D1的负端、第一三极管Q3的B端与第二电阻R2的一端连接；第二电阻R2的另一端与直流母线负端连接；第一三极管Q3的C端与第一电阻R1的一端以及第二二极管D2的负端连接；第一电阻R1的另一端与第一MOS管Q1的G端连接；第二二极管D2的正端连接第四电阻R4的一端形成防反接控制回路， 所述检波及充电回路包括第二MOS管Q2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、第二稳压管D6、第一稳压管D3、第三二极管D4、第四二极管D5， 第二MOS管Q2的D端连接第一MOS管Q1的D端，第二MOS管Q2的G端连接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端、第四电阻R4的另一端、第三电阻R3的一端、第一电容C1的一端、第一稳压管D3的负端、第二稳压管D6的负端与第四二极管D5的负端连接，第三电阻R3的另一端连接第二三极管Q4的C端，第二三极管Q4的E端、第一电容C1的另一端、第二稳压管D6的正端、第九电阻R9的一端、直流输入负端与直流输出负端连接，第二MOS管Q2的S端、第一稳压管D3的正端、第三二极管D4的正端、第八电阻R8的一端与直流输出正端连接，第三二极管D4的负端与第二电容C2的一端及第四二极管D5的正端连接，第二电容C2的另一端与第七电阻R7的一端连接，第七电阻R7的另一端与方波输出器U1连接， 所述反馈回路包括第八电阻R8、第九电阻R9和第六电阻R6、比较器U2、第二三极管Q4、稳压源V1， 比较器U2的正端与第八电阻R8的另一端以及第九电阻R9的另一端连接，比较器U2的负端与稳压源V1的正端连接，稳压源V1的负端与直流输出负端连接，比较器U2的输出端与第六电阻R6的一端连接，第六电阻R6的另一端与第二三极管Q4的B端连接。

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