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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体存储装置及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115707230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110894701.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体存储装置及形成方法是由卢经文设计研发完成，并于2021-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体存储装置及形成方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体存储装置及形成方法，半导体存储装置包括衬底；多个有源区结构，定义在所述衬底上；浅沟槽隔离，设置于该衬底内，该浅沟槽隔离环绕所述多个有源区结构；多个导线结构，相互平行地沿着第一方向延伸，所述导线结构包括第一区和第二区，所述第一区位于所述有源区结构上方，所述第二区位于所述浅沟槽隔离上方；在垂直于所述衬底的方向上，所述第一区深度大于所述第二区深度。这样，能够避免出现行锤效应。

本发明授权一种半导体存储装置及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括： 衬底； 多个有源区结构，定义在所述衬底上； 浅沟槽隔离，设置于所述衬底内，所述浅沟槽隔离环绕所述多个有源区结构； 多个导线结构，相互平行地沿着第一方向延伸，所述导线结构包括第一区和第二区，所述第一区位于所述有源区结构上方，所述第二区位于所述浅沟槽隔离上方；在垂直于所述衬底的方向上，所述第一区深度大于所述第二区深度； 所述导线结构的第一区还包括栅极结构，位于所述导线结构第一区的底部，所述栅极结构包括阻挡层和第一子导电层，所述阻挡层位于所述导线结构第一区的底部的部分侧壁和底表面，所述第一子导电层设置于所述阻挡层内； 所述导线结构的第一区还包括绝缘侧壁和第二子导电层，所述绝缘侧壁位于所述导线结构第一区的所述阻挡层上方的部分侧壁，所述第二子导电层设置于所述绝缘侧壁内，所述绝缘侧壁环绕第二子导电层设置； 所述导线结构的第一区还包括第三子导电层，所述第三子导电层覆盖在所述绝缘侧壁和第二子导电层上，与导线结构的第二区连接； 沿第二方向，所述第一子导电层的宽度大于所述第二子导电层的宽度，所述第二子导电层的宽度大于所述第三子导电层的宽度，其中，所述第二方向平行于所述衬底以及所述有源区结构的延伸方向。

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