中芯南方集成电路制造有限公司陈琛获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110893404.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由陈琛设计研发完成，并于2021-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、以及位于基底上相互分立的若干鳍部，所述基底表面具有隔离层；在所述隔离层上形成相互分立的若干栅结构，所述栅结构横跨所述鳍部，所述栅结构包括栅极和侧墙；在所述栅结构两侧的鳍部内形成源漏开口；所述侧墙表面附着缺陷种子，并且，在形成所述源漏开口后，采用选择性外延生长工艺，在所述缺陷种子表面形成牺牲膜，所述牺牲膜还位于所述缺陷种子表面和侧墙表面之间；采用预清洗工艺去除所述牺牲膜，以剥离所述缺陷种子；在所述预清洗工艺之后，在所述源漏开口内形成源漏结构，所述源漏结构的顶面高于或齐平于所述鳍部的顶面。所述方法形成的半导体结构的可靠性好。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括基底、以及位于基底上相互分立的若干鳍部，所述基底表面具有隔离层，所述隔离层还位于相邻的鳍部之间，并且，所述隔离层表面低于鳍部顶面； 在所述隔离层上形成相互分立的若干栅结构，所述栅结构横跨所述鳍部，所述栅结构包括栅氧层、位于所述栅氧层表面的栅极、以及位于所述栅氧层和栅极的侧壁上的侧墙； 在所述栅结构两侧的鳍部内形成源漏开口； 在形成所述源漏开口后，采用选择性外延生长工艺，在所述侧墙表面附着的缺陷种子表面形成牺牲膜，其中，所述缺陷种子是在形成源漏开口之前的前序工艺中或者在形成源漏开口的刻蚀工艺过程中残留的；所述缺陷种子被牺牲膜裹覆； 采用预清洗工艺去除所述牺牲膜，以剥离所述缺陷种子； 在所述预清洗工艺之后，在所述源漏开口内形成源漏结构，所述源漏结构的顶面高于或齐平于所述鳍部的顶面。
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