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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115696923B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110843321.8，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权半导体元件及其形成方法是由周信宏;蔡高财设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体元件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体元件及其形成方法，其中该方法包括：形成图案化介电层，包括字线预定区与拾取颈预定区，字线预定区与拾取颈预定区具有第一间距，且拾取颈预定区内的图案化介电层具有第二间距，其中第一间距小于或等于第二间距；于图案化介电层的侧壁上形成间隔物；将字线预定区的连接部的间隔物与字线预定区的其余部分的间隔物截断；形成遮罩图案，包括第一部分跨越连接部与拾取颈预定区，其中字线预定区的其余部分的间隔物与遮罩图案的第一部分具有间隔；以及形成虚设结构、字线、以及拾取颈，其中虚设结构位于字线和拾取颈之间，可以达到提升工艺容许度并降低制造成本的目标。

本发明授权半导体元件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，该衬底上形成有一导电层； 于该导电层上形成一图案化介电层，该图案化介电层包括： 一字线预定区； 一对选择栅极预定区，其中该字线预定区设置于该对选择栅极预定区之间； 一拾取颈预定区，环绕该对选择栅极预定区，其中该字线预定区与该拾取颈预定区具有在X方向上的一第一间距，且该拾取颈预定区内的该图案化介电层具有在X方向上的一第二间距，其中该第一间距小于或等于该第二间距； 于该图案化介电层的侧壁上形成一间隔物，在形成该间隔物之后，移除该图案化介电层； 将该字线预定区的一连接部的该间隔物与该字线预定区的其余部分的该间隔物截断； 于该间隔物上形成一遮罩图案，该遮罩图案包括一第一部分，该第一部分在X方向上跨越该连接部的该间隔物与该拾取颈预定区的一部分的该间隔物，其中该字线预定区的其余部分的该间隔物与该遮罩图案的该第一部分具有在X方向上的一间隔；以及 以该遮罩图案及该间隔物为刻蚀遮罩，对该导电层进行一刻蚀工艺以形成一虚设结构、多个字线、一对选择栅极、以及多对拾取颈，其中该虚设结构在X方向上位于所述多个字线和所述多对拾取颈之间。

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