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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692415B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110856105.7，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底上具有鳍部，鳍部包括若干器件区和隔离区；第一栅极结构和第一导电结构，第一栅极结构和第一导电结构之间具有第一隔离开口；位于隔离区内的第二隔离开口；介质结构和第二导电结构，第二导电结构位于介质结构内，且介质结构封闭第一隔离开口和第二隔离开口，第一隔离开口和第二隔离开口内具有空气腔。由于第一隔离开口不是通过去除第一栅极结构形成，因此第一隔离开口的占用空间较小。另外，介质结构封闭第一隔离开口和第二隔离开口时容易形成空气腔，同时具有空气腔的隔离结构对沟道区产生的应力适中，能够提升沟道区中载流子的迁移率，进而提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部沿第一方向延伸，所述鳍部包括若干器件区、以及位于相邻所述器件区之间的隔离区，所述器件区和所述隔离区沿所述第一方向排布； 位于所述衬底上的隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面； 位于所述隔离层上的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨于所述隔离区上； 位于所述第一栅极结构两侧器件区内的若干源漏掺杂层； 位于所述源漏掺杂层上的第一导电结构，所述第一栅极结构和所述第一导电结构之间具有第一隔离开口； 位于所述隔离区内的第二隔离开口，所述第一隔离开口暴露出所述第二隔离开口，且所述第二隔离开口顶部表面齐平于所述第一栅极结构底部表面，所述第二隔离开口底部表面齐平于或低于所述隔离层底部表面； 介质结构和第二导电结构，所述第二导电结构位于所述介质结构内，且所述介质结构封闭所述第一隔离开口和所述第二隔离开口，所述第一隔离开口和所述第二隔离开口内具有空气腔；其中， 所述空气腔作为所述器件区的SDB结构使用。

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