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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110768525.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由潘俊波;王景皓设计研发完成，并于2021-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供间隔设置的有源区和第一隔离结构；形成第二隔离结构，第二隔离结构位于相邻有源区之间，第二隔离结构的顶面高于或平齐于有源区的顶面；形成掩膜层，掩膜层的图案开口暴露部分有源区的顶面，第二隔离结构位于部分有源区的相对两侧；刻蚀图案开口暴露的部分有源区和部分第一隔离结构，形成中间凹槽，中间凹槽至少暴露有源区的部分表面；形成位线结构，位线结构与中间凹槽暴露的有源区顶面电连接。本发明实施例有利于提升半导体结构的电学性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供间隔设置的有源区和第一隔离结构； 形成第二隔离结构，所述第二隔离结构位于相邻所述有源区之间，所述第二隔离结构的顶面高于或平齐于所述有源区的顶面； 形成掩膜层，所述掩膜层的图案开口暴露部分所述有源区的顶面，所述第二隔离结构位于部分所述有源区的相对两侧； 刻蚀所述图案开口暴露的部分所述有源区和部分所述第一隔离结构，形成中间凹槽； 形成位线结构，所述位线结构与所述中间凹槽暴露的所述有源区顶面电连接；所述第二隔离结构位于所述第一隔离结构内，所述第一隔离结构隔离所述第二隔离结构和所述有源区；形成所述第一隔离结构和所述第二隔离结构的工艺步骤包括： 形成间隔设置的有源区和初始隔离结构，所述初始隔离结构顶面平齐于所述有源区顶面； 刻蚀部分厚度的所述初始隔离结构，以暴露所述有源区的部分侧壁； 形成补充层，所述补充层覆盖所述有源区侧壁和顶面以及覆盖所述初始隔离结构顶面，所述补充层和剩余所述初始隔离结构构成所述第一隔离结构； 形成第二隔离结构，所述第二隔离结构填充满所述补充层围成的空隙，所述第二隔离结构的顶面平齐于所述第一隔离结构的顶面且高于所述有源区的顶面。

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