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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利外腔式半导体激光器的光路耦合对准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663593B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211181093.3，技术领域涉及：H01S5/14；该发明授权外腔式半导体激光器的光路耦合对准方法是由雷宇鑫;崔强;秦莉;陈泳屹;王立军设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本外腔式半导体激光器的光路耦合对准方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种外腔式半导体激光器的光路耦合对准方法，包括如下步骤：调整光纤的位置和角度，使光纤与半导体激光芯片相耦合；调整准直透镜的位置和角度，使半导体激光芯片出射的不可见激光经过准直透镜准直；在半导体激光芯片的一侧放置可见光激光器，调整可见光激光器的位置和角度，使可见光激光器出射的可见激光与不可见激光平行；调节反射镜的位置和角度，使调节后的可见光激光器出射的可见激光入射到反射镜后沿原光路反射，保持反射镜的角度不变，调节反射镜的位置，将反射镜平移至半导体激光芯片的激光光轴上。本发明耦合对准的具体操作过程中，采用光学方法、机械方法和空间几何相结合，有效降低光路耦合的对准难度，提升操作效率。

本发明授权外腔式半导体激光器的光路耦合对准方法在权利要求书中公布了：1.一种外腔式半导体激光器的光路耦合对准方法，所述外腔式半导体激光器包括依次设置的半导体激光芯片、准直透镜和反射镜，其特征在于，包括如下步骤： 调整光纤的位置和角度，使所述光纤与所述半导体激光芯片相耦合； 调整所述准直透镜的位置和角度，使所述半导体激光芯片出射的不可见激光经过所述准直透镜准直； 在所述半导体激光芯片的一侧放置可见光激光器，调整所述可见光激光器的位置和角度，使所述可见光激光器出射的可见激光与所述不可见激光平行；调整所述可见光激光器的角度，使所述可见光激光器出射的可见激光与所述不可见激光平行的具体过程如下： 将CCD相机放置在初始位置，记录所述半导体激光芯片出射的不可见激光经所述准直透镜准直后在所述CCD相机中的成像位置，记为坐标A； 将所述CCD相机向靠近或远离所述准直透镜的方向移动距离d，记录此时不可见激光在所述CCD相机中的成像位置，记为坐标B； 调节所述可见光激光器的角度，使所述可见光激光器出射的可见激光在所述CCD相机中成像，记录此时可见激光在所述CCD相机中的成像位置，记为坐标A`； 将所述CCD相机向靠近或远离所述准直透镜的方向移动距离d，记录此时可见激光在所述CCD相机中的成像位置，记为坐标B`； 调节所述可见光激光器的偏摆角和俯仰角，使所述坐标A`与所述坐标B`之间的斜率与所述坐标A与所述坐标B之间的斜率相同； 调节所述反射镜的位置和角度，使调节后的可见光激光器出射的可见激光入射到所述反射镜后沿原光路反射，保持所述反射镜的角度不变，调节所述反射镜的位置，将所述反射镜平移至所述半导体激光芯片的激光光轴上。

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