中国电子科技集团公司第四十八研究所周国方获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十八研究所申请的专利高介质耐电压复合绝缘膜及其制备方法、高介质耐电压合金薄膜压敏芯体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115655537B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211304478.4，技术领域涉及：G01L1/20；该发明授权高介质耐电压复合绝缘膜及其制备方法、高介质耐电压合金薄膜压敏芯体及其制备方法是由周国方;余浪;何峰;杨晓生;曾庆平;蓝镇立设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本高介质耐电压复合绝缘膜及其制备方法、高介质耐电压合金薄膜压敏芯体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明中公开了一种高介质耐电压复合绝缘膜及其制备方法、高介质耐电压合金薄膜压敏芯体及其制备方法，该复合绝缘膜包括由下而上依次堆叠而成的五氧化二钽薄膜、氧化铝薄膜和氧化硅薄膜，具有介质耐电压性能优异、薄膜应力小、致密性好、粘附性好等优点，将其作为功能材料层和基底材料之间的绝缘层时所构建的合金薄膜压敏芯体，不仅具有介质耐电压高的优点，还具有检测精度高、灵敏度高、在恶劣环境下可靠性好等优点，能够满足高铁列车用特种压力监测的需求，同时在同一真空腔体中进行制备，能够制得薄膜应力小、致密性好、粘附性好的薄膜，进而可获得性能更加优异的合金薄膜压敏芯体。
本发明授权高介质耐电压复合绝缘膜及其制备方法、高介质耐电压合金薄膜压敏芯体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高介质耐电压复合绝缘膜，其特征在于，所述高介质耐电压复合绝缘膜包括由下而上依次堆叠而成的五氧化二钽薄膜、氧化铝薄膜和氧化硅薄膜；所述五氧化二钽薄膜的厚度为50nm～150nm；所述氧化铝薄膜的厚度为375nm～450nm；所述氧化硅薄膜的厚度为2.5μm～3.5μm。
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