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龙图腾网获悉多助科技(武汉)有限公司申请的专利一种钴掺杂花状蒙脱石复合材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642239B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211392499.6，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种钴掺杂花状蒙脱石复合材料及其制备方法和应用是由刘启明;曹诗悦;杨希国设计研发完成，并于2022-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钴掺杂花状蒙脱石复合材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种钴掺杂花状蒙脱石复合材料及其制备方法和应用，属于钠离子电池电极材料技术领域。所述复合材料是以2D蒙脱石纳米片为基底，通过钴掺杂重组装生成的花状材料；所述钴在复合材料中的含量为20～30％。本发明以蒙脱石矿物材料为牺牲模板，通过超声剥离将蒙脱石矿物材料剥离成蒙脱石2D纳米片，在常温下将2D纳米片与钴离子和二甲基咪唑重新组装后在惰性气体保护下高温退火形成钴掺杂重组装的花状蒙脱石复合材料。该方法制备的钴掺杂花状蒙脱石复合材料在用作半电池钠离子电池负极材料时，在2Ag电流密度下循环5000圈后保持了193mAhg的比容量，表现出优异的循环性能，在0.1Ag的电流密度下循环100圈后保持了超过276mAhg的比容量，具有优异的倍率性能。

本发明授权一种钴掺杂花状蒙脱石复合材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种钴掺杂花状蒙脱石复合材料在钠离子半电池负极材料中的应用，其特征在于，所述钴掺杂花状蒙脱石复合材料是以2D蒙脱石纳米片为基底，通过钴掺杂重组装生成的花状材料；所述钴在复合材料中的含量为20~30%； 所述钴掺杂花状蒙脱石复合材料的制备方法，包括以下步骤： S1.将蒙脱石加入纯水中搅拌均匀，然后进行超声处理，所得到的溶液在离心后取上层清液，即为剥离的2D蒙脱石纳米片溶液； S2.将硝酸钴和二甲基咪唑加入到步骤S1得到的2D蒙脱石纳米片溶液中，均匀搅拌混合，经过洗涤、分离、干燥后得到花状蒙脱石有机钴的复合材料； S3.将步骤S2得到的花状蒙脱石有机钴的复合材料在保护气体下进行高温退火后得到钴掺杂花状蒙脱石复合材料；所述高温退火的温度为600~700℃，退火时间为1~3h。

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