东南大学程明获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种硅钢片磁路参数的计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115620839B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211232972.4，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种硅钢片磁路参数的计算方法是由程明;秦伟;王政;朱新凯;花为;马钲洲设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅钢片磁路参数的计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了磁路理论应用领域的一种硅钢片磁路参数的计算方法，具体过程如下：S1、先获取硅钢片的几何尺寸、电磁参数、叠片数目；S2：然后确定硅钢片中交变磁通的频率以及其方向；S3：最后根据提出的表达式计算硅钢片的磁路参数。本发明计算方法可根据硅钢片的几何尺寸、电磁特性、叠片数目，结合硅钢片中交变磁通的频率以及方向，快速计算硅钢片的磁路参数，绘制硅钢片的高频磁路特性，提高了科研人员的工作效率；能够评估电磁设备的运行状态，既可以定性分析磁路中磁量的行为，又可以定量计算磁路参数的大小。
本发明授权一种硅钢片磁路参数的计算方法在权利要求书中公布了：1.一种硅钢片磁路参数的计算方法，其特征在于，具体过程如下： S1、先获取硅钢片的几何尺寸、电磁参数、叠片数目； 所述几何尺寸包括硅钢片的厚度a、长度b、宽度h，所述叠片数目为n； 所述电磁参数包括硅钢片的电导率σ、磁导率μ、磁通的集肤深度δ； S2：然后确定硅钢片中交变磁通的频率f以及其方向； S3：最后根据提出的表达式计算硅钢片的磁路参数，当硅钢片的正弦磁动势频率f恒定时，硅钢片的磁阻参数表达式如下所示： 磁感参数的表达式如下所示： 式中，σ为硅钢片的电导率，μ为硅钢片的磁导率，δ为硅钢片磁通的集肤深度； 所述磁通集肤深度的表达式如下所示： 式中，f为硅钢片中交变磁通的频率，ρ为硅钢片的电阻率。
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